申请/专利权人：株式会社索思未来

申请日：2021-09-14

公开（公告）日：2024-04-12

公开（公告）号：CN117882136A

主分类号：G11C11/419

分类号：G11C11/419

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2024.04.30#实质审查的生效;2024.04.12#公开

摘要：半导体存储装置1包括存储单元阵列3，在所述存储单元阵列3中，多个存储单元MC与位线对BLT相连接。并且，在从存储单元MC读出数据时，根据复制字线信号向复制位线TRKBL输出复制位线信号，并根据复制位线信号，读出放大器启动信号SAE发生变化，由此读出放大器电路21被驱动。此外，在向存储单元MC写入数据时，利用从负电位生成电路25输出的负电位抬升信号BOOSTX，使作为写入对象的位线对的低电位侧为负电位。

主权项：1.一种半导体存储装置，其特征在于：所述半导体存储装置包括存储单元阵列、复制位线电路、读出放大器电路、写入电路以及负电位抬升信号生成电路，所述存储单元阵列包括多个存储单元，所述多个存储单元分别与对应的位线对连接，所述复制位线电路包括多个复制存储单元，所述多个复制存储单元根据复制字线信号向共用的复制位线输出复制位线信号，所述读出放大器电路根据基于所述复制位线信号生成的读出放大器启动信号，对所述位线对的信号进行放大，所述写入电路具有使与作为写入对象的所述存储单元连接的位线对中的一条位线成为低电位的功能，根据负电位抬升信号使该低电位侧的位线为负电位，所述负电位抬升信号生成电路是生成所述负电位抬升信号的电路，该负电位抬升信号的信号生成路径包括所述复制位线，在从所述存储单元读出数据时，根据所述复制字线信号向所述复制位线输出所述复制位线信号，并且根据该复制位线信号，所述读出放大器启动信号发生变化，由此读出放大器电路被驱动，在向所述存储单元写入数据时，利用从所述负电位抬升信号生成电路输出的所述负电位抬升信号，使作为写入对象的位线对的低电位侧为负电位。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 株式会社索思未来 半导体存储装置

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