申请/专利权人：厦门三安光电有限公司

申请日：2021-12-28

公开（公告）日：2024-04-12

公开（公告）号：CN117878216A

主分类号：H01L33/46

分类号：H01L33/46

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2024.04.30#实质审查的生效;2024.04.12#公开

摘要：本申请提供一种倒装发光二极管和半导体发光装置，其包括衬底、半导体堆叠层和光学薄膜堆叠层，半导体堆叠层形成在衬底的第一表面上，用于辐射光线；光学薄膜堆叠层形成在衬底的第二表面上，且包括第一反射膜组，第一反射膜组包括重复叠置的第一材料层和第二材料层，第一材料层和第二材料层的光学厚度满足：第一反射膜组对于420nm~480nm范围内的任一波长且入射角为第一角度的光线进行反射，对任一波长且入射角为第二角度的光线进行部分透射，第一角度小于第二角度。通过对光学薄膜堆叠层的材料性能、厚度进行优化，在保持大角度出光的同时，对于相对小的角度出光具有较大反射率，对于相对大的角度出光具有较小反射率，可提高倒装发光二极管的亮度。

主权项：1.一种倒装发光二极管，其特征在于，包括：衬底，具有相对设置的第一表面和第二表面；半导体堆叠层，形成在所述第一表面上，并用于辐射光线；光学薄膜堆叠层，形成在所述第二表面上；所述光学薄膜堆叠层包括第一反射膜组和位于所述第一反射膜组的远离第二表面的一侧的第二反射膜组，所述第一反射膜组包括重复叠置的第一材料层和第二材料层，所述第二反射膜组包括重复叠置的第三材料层和第四材料层，所述第一反射膜组的总层数小于所述第二反射膜组的总层数，所述第二材料层与所述第三材料层的材料相同，所述第二材料层的几何厚度都小于所述第三材料层的几何厚度。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 厦门三安光电有限公司 倒装发光二极管和半导体发光装置

免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。

阅读全文 双屏查看 官方信息 专利公告 收藏专利 下载PDF 下载WORD