申请/专利权人：青岛澳芯瑞能半导体科技有限公司

申请日：2024-03-12

公开（公告）日：2024-04-12

公开（公告）号：CN117878071A

主分类号：H01L23/367

分类号：H01L23/367;H01L23/467;H01L29/739;H01L21/50

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2024.04.30#实质审查的生效;2024.04.12#公开

摘要：本发明属于半导体技术领域，具体涉及一种IGBT半导体器件及其工艺方法。该IGBT半导体器件包括基板和安装在基板上的DBC板，基板的上表面固定连接有外壳，外壳的上表面设置有功率端子和信号端子，功率端子和信号端子均与DBC板电性连接。本发明通过结构设计解决了现有的IGBT半导体器件的基板与散热器表面接触吸收热量，再通过各种方法将热量传递到远处，由于IGBT半导体器件的产热位置正好是整个器件的与基板接触的中心位置，热量无法最快得到逸散，大大影响了散热效率的问题。

主权项：1.一种IGBT半导体器件，其特征在于，包括基板（1）和安装在基板（1）上的DBC板，所述基板（1）的上表面固定连接有外壳（2），所述外壳（2）的上表面设置有功率端子（3）和信号端子（4），所述功率端子（3）和信号端子（4）均与DBC板电性连接，所述基板（1）的下表面开设有通风槽（5），所述通风槽（5）的中部安装有散热组件（6），所述散热组件（6）的前后两侧均设置有散热器（7）。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 青岛澳芯瑞能半导体科技有限公司 一种IGBT半导体器件及其工艺方法

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