申请/专利权人：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司

申请日：2022-10-09

公开（公告）日：2024-04-12

公开（公告）号：CN117878088A

主分类号：H01L23/522

分类号：H01L23/522;H01L23/64;H10N97/00

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2024.04.30#实质审查的生效;2024.04.12#公开

摘要：一种接地屏蔽结构和半导体器件，所述接地屏蔽结构包括：基底，所述基底包括衬底；多个有源区，所述多个有源区分布于所述衬底内；多个多晶硅栅条，多个所述多晶硅栅条分布于所述多个有源区上；第一导电结构，所述第一导电结构位于所述多个多晶硅栅条上，所述第一导电结构包括：多个第一金属段，其中至少2个所述第一金属段串联；接地环，所述接地环包围所述第一导电结构且与所述第一导电结构电连接。使第一金属段连串，能够有效增大所述第一导电结构的电阻，从而增大所述接地屏蔽结构的整体电阻，能够有效抑制衬底损耗、提高品质因数。

主权项：1.一种接地屏蔽结构，其特征在于，包括：基底，所述基底包括衬底；多个有源区，所述多个有源区分布于所述衬底内；多个多晶硅栅条，多个所述多晶硅栅条分布于所述多个有源区上；第一导电结构，所述第一导电结构位于所述多个多晶硅栅条上，所述第一导电结构包括：多个第一金属段，其中至少2个所述第一金属段串联；接地环，所述接地环包围所述第一导电结构且与所述第一导电结构电连接。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 接地屏蔽结构和半导体器件

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