申请/专利权人:株式会社半导体能源研究所
申请日:2021-03-08
公开(公告)日:2024-04-12
公开(公告)号:CN117878159A
主分类号:H01L29/786
分类号:H01L29/786;H01L27/12;H10K59/121
优先权:["20200320 JP 2020-050364"]
专利状态码:在审-实质审查的生效
法律状态:2024.04.30#实质审查的生效;2024.04.12#公开
摘要:提供一种电特性良好的半导体装置。提供一种可靠性高的半导体装置。本发明的一个方式是一种半导体装置,包括第一晶体管、第二晶体管、第一绝缘层及第二绝缘层。第一晶体管包括第一半导体层、第一栅极绝缘层及第一栅电极。第一半导体层包括金属氧化物。第二晶体管包括第二半导体层、第二栅极绝缘层及第二栅电极。第二半导体层包含结晶硅。第一绝缘层具有隔着第二绝缘层与第一晶体管重叠的区域。第二绝缘层具有隔着第一绝缘层与第二晶体管重叠的区域。第二绝缘层的膜密度高于第一绝缘层。
主权项:1.一种半导体装置,具有第一半导体层、第二半导体层、第一导电层、第二导电层、第一绝缘层、第二绝缘层、第三绝缘层及第四绝缘层,所述第一半导体层包括金属氧化物,所述第二半导体层包含结晶硅,所述第二导电层和所述第二半导体层具有隔着所述第四绝缘层彼此重叠的区域,所述第一绝缘层位于所述第二半导体层上,所述第二绝缘层位于所述第一绝缘层上,所述第一半导体层位于所述第二绝缘层上,所述第一导电层和所述第一半导体层具有隔着所述第三绝缘层彼此重叠的区域,所述第二绝缘层的氢浓度低于所述第一绝缘层。
全文数据:
权利要求:
百度查询: 株式会社半导体能源研究所 半导体装置及半导体装置的制造方法
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