申请/专利权人：富芯微电子有限公司

申请日：2021-10-09

公开（公告）日：2024-04-12

公开（公告）号：CN113889994B

主分类号：H02H9/04

分类号：H02H9/04;H02H7/20

优先权：

专利状态码：有效-授权

法律状态：2024.04.12#授权;2022.01.21#实质审查的生效;2022.01.04#公开

摘要：本发明属于电力电子技术领域，尤其为一种IGBT过压保护装置，包括栅极驱动电路、IGBT、第一压敏电阻和第二压敏电阻，所述栅极驱动电路通过放电电阻与IGBT的栅极连接，所述放电电阻通过第一TVS管与IGBT的源级连接，所述栅极驱动电路通过放电电阻与IGBT的栅极连接，所述放电电阻通过第一TVS管与IGBT的源级连接，所述放电电阻通过反向设置的第一稳压二极管和第二稳压二极管与第一压敏电阻连接。本发明能够对IGBT栅极实施前级过电压保护，使IGBT保持在线性工作中，达到降低集电极发射极过电压效果，随着有源钳位的增加，能够使浪涌电压降低，利用压敏电阻的非线性特性承受过压时进行电压嵌位，对后级电路起到保护作用。

主权项：1.一种IGBT过压保护装置，包括栅极驱动电路、IGBT、第一压敏电阻和第二压敏电阻，其特征在于：所述栅极驱动电路通过放电电阻与IGBT的栅极连接，所述放电电阻通过第一TVS管与IGBT的源级连接，所述第一TVS管用于保护IGBT的栅极，所述放电电阻通过反向设置的第一稳压二极管和第二稳压二极管与第一压敏电阻连接，所述第一稳压二极管和第二稳压二极管用于稳定IGBT的栅极电压，所述IGBT的漏极与栅极之间串联有多个第二TVS管和第一电阻，所述第二TVS管和第一电阻用于减缓IGBT集电极电流的变化率，所述第一电阻远离第二TVS管的一端与第二压敏电阻连接，所述第一压敏电阻与第二压敏电阻通过第二电阻接地。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 富芯微电子有限公司 一种IGBT过压保护装置

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