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【发明授权】半导体工艺腔室及半导体工艺方法_北京北方华创微电子装备有限公司_202210073203.8 

申请/专利权人:北京北方华创微电子装备有限公司

申请日:2022-01-21

公开(公告)日:2024-04-12

公开(公告)号:CN114446758B

主分类号:H01J37/32

分类号:H01J37/32;H01L21/67

优先权:

专利状态码:有效-授权

法律状态:2024.04.12#授权;2022.05.24#实质审查的生效;2022.05.06#公开

摘要:本发明提供一种半导体工艺腔室及半导体工艺方法,半导体工艺腔室的多个电源一一对应的与多个匹配部件电连接,负载与至少一个匹配部件电连接,电源用于通过对应的匹配部件向负载输出电能;至少一个匹配部件和负载之间设置有对应的检测部件,检测部件分别与对应的匹配部件和负载电连接,且与控制单元电连接,检测部件用于对自对应的负载耦合向对应的匹配部件的电能进行检测,并将检测结果传输向控制单元;控制单元和与检测部件对应的匹配部件电连接,用于接收并根据检测结果控制与检测部件对应的匹配部件中的可变电容的位置。本发明提供的半导体工艺腔室及半导体工艺方法能够提高射频稳定性,从而提高等离子体稳定性,提高半导体工艺稳定性。

主权项:1.一种半导体工艺腔室,其特征在于,包括多个负载、多个电源、多个匹配部件、控制单元和至少一个检测部件,其中,多个所述电源一一对应的与多个所述匹配部件电连接,所述负载与至少一个所述匹配部件电连接,所述电源用于通过对应的所述匹配部件向所述负载输出电能;至少一个所述匹配部件和所述负载之间设置有对应的所述检测部件,所述检测部件分别与对应的所述匹配部件和所述负载电连接,且与所述控制单元电连接,所述检测部件用于对自对应的所述负载耦合向对应的所述匹配部件的电能进行检测,并将检测结果传输向所述控制单元;所述控制单元和与所述检测部件对应的所述匹配部件电连接,用于接收所述检测结果,并根据所述检测结果控制与所述检测部件对应的所述匹配部件中的可变电容的位置。

全文数据:

权利要求:

百度查询: 北京北方华创微电子装备有限公司 半导体工艺腔室及半导体工艺方法

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