申请/专利权人：英诺赛科(苏州)半导体有限公司

申请日：2023-09-05

公开（公告）日：2024-04-12

公开（公告）号：CN220774377U

主分类号：H01L29/778

分类号：H01L29/778;H01L29/06;H01L29/10;H01L29/423;H01L29/205

优先权：

专利状态码：有效-授权

法律状态：2024.04.12#授权

摘要：本实用新型实施例公开了一种氮化物基半导体器件，包括：衬底；第一氮化物半导体层，位于衬底的一侧；第二氮化物半导体层，位于第一氮化物半导体层远离衬底的一侧，且具有与第一氮化物半导体层不同的带隙；第一电极，位于第二氮化物半导体层远离衬底的一侧；栅极结构，位于第二氮化物半导体层远离衬底的一侧，并围绕第一电极设置；第二电极，位于第二氮化物半导体层远离衬底的一侧，并围绕栅极电极设置；背面通孔，贯穿第一氮化物半导体层和第二氮化物半导体层，背面通孔中设置有导电结构，导电结构的第一端与衬底接触连接，导电结构的第二端与第一电极或者第二电极接触连接。提高了氮化物基半导体器件的可靠性。

主权项：1.一种氮化物基半导体器件，其特征在于，包括：衬底；第一氮化物半导体层，位于所述衬底的一侧；第二氮化物半导体层，位于所述第一氮化物半导体层远离所述衬底的一侧，且具有与所述第一氮化物半导体层不同的带隙；在所述第一氮化物半导体层和所述第二氮化物半导体层之间具有二维电子气的异质结；第一电极，位于所述第二氮化物半导体层远离所述衬底的一侧；栅极结构，位于所述第二氮化物半导体层远离所述衬底的一侧，并围绕所述第一电极设置；第二电极，位于所述第二氮化物半导体层远离所述衬底的一侧，并围绕所述栅极结构设置；所述第二电极设置在所述栅极结构远离所述第一电极的一侧；背面通孔，贯穿所述第一氮化物半导体层和所述第二氮化物半导体层，所述背面通孔中设置有导电结构，所述导电结构的第一端与所述衬底接触连接，所述导电结构的第二端与所述第一电极或者所述第二电极接触连接。

全文数据：

权利要求：

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