申请/专利权人：安捷利美维电子(厦门)有限责任公司;广州美维电子有限公司

申请日：2023-06-29

公开（公告）日：2024-04-12

公开（公告）号：CN220774344U

主分类号：H01L23/367

分类号：H01L23/367;H01L23/373;H01L23/31

优先权：

专利状态码：有效-授权

法律状态：2024.04.12#授权

摘要：本实用新型公开了一种高散热高可靠性的车规级功率半导体模组结构，包括第一金属层、第二金属层、银烧结层、芯片和介电层，所述第一金属层设置有贯通孔，所述第二金属层通过所述银烧结层对所述芯片贴片固接，所述第一金属层与所述第二金属层通过所述银烧结层固接，所述贯通孔容纳所述芯片，所述贯通孔的顶部高于所述芯片；所述第一金属层的底部选择性化镀有第一金镍层，所述第二金属层的顶部选择性化镀有第二金镍层，所述第一金镍层和所述第二金镍层通过所述银烧结层固接；所述介电层包裹塑封所述第一金属层，第二金属层、银烧结层及芯片。该模组结构高散热、封装芯片失效率低、不易分层及爆板。

主权项：1.一种车规级功率半导体模组结构，其特征在于：包括第一金属层、第二金属层、银烧结层、芯片及介电层，所述第一金属层设置有贯通孔，所述第二金属层通过所述银烧结层对所述芯片贴片固接，所述第一金属层与所述第二金属层通过所述银烧结层固接，所述贯通孔容纳所述芯片，所述贯通孔的顶部高于所述芯片；所述第一金属层的底部选择性沉金化镀有第一金镍层，所述第二金属层的顶部选择性沉金化镀有第二金镍层，所述第一金镍层和所述第二金镍层通过所述银烧结层固接；所述介电层包裹塑封所述第一金属层、第二金属层、银烧结层及芯片。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 安捷利美维电子(厦门)有限责任公司;广州美维电子有限公司 一种车规级功率半导体模组结构及封装模组

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