申请/专利权人：泰科天润半导体科技(北京)有限公司

申请日：2024-03-18

公开（公告）日：2024-04-16

公开（公告）号：CN117894684A

主分类号：H01L21/336

分类号：H01L21/336;H01L21/28;H01L29/78;H01L29/06;H01L29/417;H01L29/08;H01L29/423

优先权：

专利状态码：在审-公开

法律状态：2024.04.16#公开

摘要：本发明提供了一种低导通电阻三栅纵向碳化硅MOSFET的制造方法，取设有漂移层的碳化硅衬底，在碳化硅衬底上淀积金属，形成漏极金属层，之后形成阻挡层，刻蚀形成通孔，离子注入，形成超结区、掩蔽层和沟道区；去除阻挡层后重新形成阻挡层，刻蚀形成通孔，通过通孔进行淀积，形成第一源极金属区、隔离区、源区以及第二源极金属区；去除阻挡层后重新形成阻挡层，刻蚀形成通孔，淀积形成第一栅极绝缘层以及第二栅极绝缘层；蚀刻第一栅极绝缘层以及第二栅极绝缘层形成第一沟槽以及第二沟槽，淀积金属，形成第一栅极金属层以及第二栅极金属层，去除阻挡层，完成制造，提高了栅控能力，增加了隔离区的反型层宽度，降低了器件的导通电阻。

主权项：1.一种低导通电阻三栅纵向碳化硅MOSFET的制造方法，其特征在于，包括如下步骤：步骤1、取设有漂移层的碳化硅衬底，在碳化硅衬底上淀积金属，形成漏极金属层，之后在漂移层上形成阻挡层，并对阻挡层刻蚀形成通孔，通过通孔对漂移层进行离子注入，形成超结区；步骤2、去除阻挡层后重新形成阻挡层，并对阻挡层刻蚀形成通孔，通过通孔对漂移层进行离子注入，形成掩蔽层；步骤3、去除阻挡层后重新形成阻挡层，并对阻挡层刻蚀形成通孔，通过通孔对漂移层进行离子注入，形成沟道区；步骤4、去除阻挡层后重新形成阻挡层，并对阻挡层刻蚀形成通孔，通过通孔进行金属淀积，形成第一源极金属区；步骤5、去除阻挡层后重新形成阻挡层，并对阻挡层刻蚀形成通孔，通过通孔淀积，依次形成隔离区、源区以及第二源极金属区；步骤6、去除阻挡层后重新形成阻挡层，并对阻挡层以及第一源极金属区刻蚀形成通孔，通过通孔淀积，形成第一源极金属层、第二源极金属层、第一栅极绝缘层以及第二栅极绝缘层；步骤7、去除阻挡层后重新形成阻挡层，并对阻挡层刻蚀形成通孔，并蚀刻第一栅极绝缘层以及第二栅极绝缘层形成第一沟槽以及第二沟槽，之后通过通孔在第一沟槽以及第二沟槽上淀积金属，形成第一栅极金属层以及第二栅极金属层，去除阻挡层，完成制造。

全文数据：

权利要求：

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