申请/专利权人:中国科学院微电子研究所
申请日:2022-03-07
公开(公告)日:2024-04-16
公开(公告)号:CN114784122B
主分类号:H01L31/0224
分类号:H01L31/0224;H01L31/115;H01L31/18
优先权:
专利状态码:有效-授权
法律状态:2024.04.16#授权;2022.08.09#实质审查的生效;2022.07.22#公开
摘要:本发明涉及一种双面漂浮环的三维沟槽电极探测器及其制备方法,以解决底部电场分布不均、存在探测死区、电极上下表面提前击穿等技术问题。一种双面漂浮环的三维沟槽电极探测器包括:衬底,以及设置在所述衬底中央的中央电极,设置在所述衬底外周的沟槽电极,所述沟槽电极呈环形;在所述衬底的上表面以及下表面上均设置有多重漂浮环,所述多重漂浮环位于所述中央电极和所述沟槽电极之间。
主权项:1.一种双面漂浮环的三维沟槽电极探测器的制备方法,其特征在于,包括:提供衬底;在所述衬底的外周刻蚀环形沟槽;在所述环形沟槽内形成环形的沟槽电极;分别在所述衬底的上下表面形成多重漂浮环;在所述衬底的中央刻蚀深沟槽,并在深沟槽内形成中央电极,且使所述多重漂浮环位于所述中央电极和所述沟槽电极之间;在所述衬底的上下表面分别形成所述沟槽电极的电极引出端、所述中央电极的电极引出端。
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