申请/专利权人：腾讯科技(深圳)有限公司

申请日：2022-10-21

公开（公告）日：2024-05-03

公开（公告）号：CN117979812A

主分类号：H10N60/01

分类号：H10N60/01;H10N60/12

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2024.05.21#实质审查的生效;2024.05.03#公开

摘要：本申请关于一种芯片制备方法、系统及芯片，涉及微纳加工技术领域。该方法包括：通过激光直写的曝光方式制备阻抗约瑟夫森参量放大器的第一底层电路，以及用于测试的第二底层电路，获得第一芯片产品；通过激光直写的曝光方式，在第一芯片产品上生成用于约瑟夫森结制备的光刻胶结构；从第一芯片产品上切割出第二底层电路所在的第二芯片产品，以及第一底层电路所在的第三芯片产品；基于与第二底层电路对应的光刻胶结构试制约瑟夫森结样品，获得目标氧化条件；按照目标氧化条件，基于与第一底层电路对应的光刻胶结构制备约瑟夫森结，获得第四芯片产品；基于第四芯片产品获取目标芯片产品。上述方案提高了阻抗约瑟夫森参量放大器的制备效率。

主权项：1.一种芯片制备方法，其特征在于，所述方法包括：通过激光直写的曝光方式，在衬底上制备阻抗约瑟夫森参量放大器的第一底层电路，以及用于测试的约瑟夫森结的第二底层电路，获得第一芯片产品；通过激光直写的曝光方式，在所述第一芯片产品上生成用于约瑟夫森结制备的光刻胶结构；从所述第一芯片产品上切割出所述第二底层电路所在的第二芯片产品，以及所述第一底层电路所在的第三芯片产品；基于与所述第二底层电路对应的所述光刻胶结构，在所述第二芯片产品上试制约瑟夫森结样品，以获得用于制备约瑟夫森结中的氧化层的目标氧化条件；按照所述目标氧化条件，基于与所述第一底层电路对应的所述光刻胶结构，在所述第三芯片产品上制备约瑟夫森结，获得第四芯片产品；基于所述第四芯片产品获取包含所述阻抗约瑟夫森参量放大器的目标芯片产品。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 腾讯科技(深圳)有限公司 芯片制备方法、系统及芯片

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