申请/专利权人：无盖灯光电公司

申请日：2023-11-01

公开（公告）日：2024-05-07

公开（公告）号：CN117991446A

主分类号：G02B6/12

分类号：G02B6/12;G02B6/24;G02B6/26

优先权：["20221102 US 63/421,644"]

专利状态码：在审-公开

法律状态：2024.05.07#公开

摘要：本公开涉及用于混合薄硅III‑V光子学的波导过渡。一种器件，包括：衬底，衬底具有由下部介电层隔开的下部硅层和上部硅层，以及接合到衬底的III‑V结构，该III‑V结构具有沿光轴的第一区段、第二区段和第三区段。第一区段包括上部硅层的第一上部波导段，其宽度从第一宽度增加到第一区段和第二区段之间的界面处的第二宽度，III‑V结构与第一上部波导段的锥形部分重叠。第二区段包括宽度减小的上部硅层的第二上部波导段，并且在第二区段和第三区段之间的界面处下部硅层的第一下部波导段比第二上部波导段宽。第三区段包括下部硅层的第二下部波导段。

主权项：1.一种器件，包括：衬底，包括由下部介电层分隔的下部硅层和上部硅层；接合到所述衬底的III-V结构；以及在所述衬底和所述III-V结构中形成的波导过渡结构，所述波导过渡结构包括沿光轴的第一区段、第二区段和第三区段，其中：所述第一区段包括形成在所述上部硅层中的第一上部波导段，所述第一上部波导段的宽度从第一宽度增加到所述第一区段和所述第二区段之间的界面处的第二宽度，所述III-V结构与所述第一上部波导段重叠；所述第二区段包括形成在所述上部硅层中的第二上部波导段和形成在所述下部硅层中的第一下部波导段，所述第二上部波导段的宽度从所述第一区段和所述第二区段之间的界面处的所述第二宽度减小到所述第二区段和所述第三区段之间的界面处的第三宽度，所述第一下部波导段在所述第二区段和所述第三区段之间的所述界面处具有大于所述第三宽度的第四宽度；并且所述第三区段包括具有所述第四宽度的第二下部波导段，所述第二下部波导段与所述第一下部波导段连续地形成在所述下部硅层中。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 无盖灯光电公司 用于混合薄硅/III-V光子学的波导过渡

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