申请/专利权人：无锡华润华晶微电子有限公司

申请日：2018-07-03

公开（公告）日：2020-01-10

公开（公告）号：CN110676321A

主分类号：H01L29/78(20060101)

分类号：H01L29/78(20060101);H01L29/423(20060101);H01L29/06(20060101);H01L21/336(20060101)

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2020.02.11#实质审查的生效;2020.01.10#公开

摘要：本申请提供了一种沟槽MOSFET及其制造方法。所述沟槽MOSFET包括：具有第一导电类型的衬底；形成于衬底之上的具有第一导电类型的外延层，外延层的掺杂浓度低于衬底的掺杂浓度；形成于外延层中的沟槽；填充在沟槽内的栅结构，栅结构包括屏蔽栅电极、位于屏蔽栅电极上方的控制栅电极、包覆屏蔽栅电极及填充在控制栅电极侧部的介质层；形成于外延层中的多个具有第一导电类型的注入区，多个注入区从上至下排布且位于屏蔽栅电极侧部，注入区的掺杂浓度大于外延层的掺杂浓度；形成于外延层中且位于多个注入区上方的具有第二导电类型的体区；形成于外延层中且位于体区上方的具有第一导电类型的源区，源区的掺杂浓度大于体区的掺杂浓度。

主权项：1.一种沟槽MOSFET，其特征在于，包括：具有第一导电类型的衬底1；形成于所述衬底1之上的具有第一导电类型的外延层2，所述外延层2的掺杂浓度低于所述衬底1的掺杂浓度；形成于所述外延层2中的沟槽3；填充在所述沟槽3内的栅结构4，所述栅结构4包括屏蔽栅电极401；形成于所述外延层2中的多个具有第一导电类型的注入区5，多个所述注入区5从上至下排布且位于所述屏蔽栅电极401侧部，所述注入区5的掺杂浓度大于所述外延层2的掺杂浓度；形成于所述外延层2中且位于多个所述注入区5上方的具有第二导电类型的体区6；形成于所述外延层2中且位于所述体区6上方的具有第一导电类型的源区7，所述源区7的掺杂浓度大于所述体区6的掺杂浓度。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 无锡华润华晶微电子有限公司 沟槽MOSFET及其制造方法

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