申请/专利权人：长江存储科技有限责任公司

申请日：2019-08-23

公开（公告）日：2020-02-07

公开（公告）号：CN110770902A

主分类号：H01L27/11524(20170101)

分类号：H01L27/11524(20170101);H01L27/11556(20170101);H01L27/1157(20170101);H01L27/11582(20170101)

优先权：

专利状态码：有效-授权

法律状态：2021.08.17#授权;2020.03.03#实质审查的生效;2020.02.07#公开

摘要：本公开内容的各方面提供了一种半导体器件。该半导体器件包括沿垂直于半导体器件的衬底的方向，在衬底上方的阵列区中交替地堆叠的栅极层和绝缘层。此外，该半导体器件包括在阵列区中形成的沟道结构的阵列。在衬底上的连接区中的栅极层和绝缘层以阶梯形式堆叠，其中阶梯台阶具有不均匀的阶梯深度。此外，该半导体器件包括通往栅极层的触点结构。该触点结构形成于具有不均匀的阶梯深度的阶梯台阶上。

主权项：1.一种半导体器件，包括：沿垂直于所述半导体器件的衬底的方向，在所述衬底上方的阵列区中交替地堆叠的栅极层和绝缘层；在所述阵列区中形成的沟道结构的阵列；在所述衬底上方的连接区中的以阶梯形式堆叠的所述栅极层和所述绝缘层，其中，阶梯台阶具有不均匀的阶梯深度；以及形成于具有所述不均匀的阶梯深度的所述阶梯台阶上的、通往所述栅极层的触点结构。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 长江存储科技有限责任公司 竖直存储器件

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