申请/专利权人：长鑫存储技术有限公司

申请日：2018-09-21

公开（公告）日：2020-03-31

公开（公告）号：CN110943070A

主分类号：H01L23/522(20060101)

分类号：H01L23/522(20060101);H01L23/528(20060101);H01L21/768(20060101)

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2020.04.24#实质审查的生效;2020.03.31#公开

摘要：本发明提供一种半导体结构，半导体结构制备方法及其用途，所述制备方法包括，提供一衬底，所述衬底中嵌有至少一个第一金属结构；所述第一金属结构顶面与所述衬底顶面处于同一平面；于所述衬底上形成一层间介质层；于所述层间介质层中形成至少一个沟槽，所述沟槽显露出所述第一金属结构顶面；于所述沟槽侧壁形成一扩散阻挡层；以及于形成有所述扩散阻挡层的所述沟槽中形成第二金属结构，所述第二金属结构与所述第一金属结构直接接合以实现电连接。利用本发明，通过去除底部的扩散阻挡层，不仅降低互连接触电阻，减少RC延迟，而且还能保护层间介质层，提高通孔填充质量，另外还能采用绝缘材料作为扩散阻挡层，提高器件的电性能稳定性和可靠性。

主权项：1.一种半导体结构制备方法，其特征在于，包括：提供一衬底，所述衬底中嵌有至少一个第一金属结构；所述第一金属结构顶面与所述衬底顶面处于同一平面；于所述衬底上形成一层间介质层；于所述层间介质层中形成至少一个沟槽，所述沟槽显露出所述第一金属结构顶面；于所述沟槽侧壁形成一扩散阻挡层；以及于侧壁形成有所述扩散阻挡层的所述沟槽中形成第二金属结构，所述第二金属结构与所述第一金属结构直接接合以实现电连接。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 长鑫存储技术有限公司 半导体结构，半导体结构制备方法及其用途

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