申请/专利权人：长鑫存储技术有限公司

申请日：2018-09-25

公开（公告）日：2020-10-16

公开（公告）号：CN211700293U

主分类号：H01L29/78(20060101)

分类号：H01L29/78(20060101);H01L29/06(20060101)

优先权：

专利状态码：有效-授权

法律状态：2020.10.16#授权

摘要：本公开提供一种半导体器件。该半导体器件包括：半导体衬底，其中所述半导体衬底中包括导电沟道；以及栅极结构，位于所述导电沟道之上；其中所述栅极结构对应的所述导电沟道中设置有反态掺杂区，其中所述反态掺杂区的长度小于所述导电沟道的长度。本公开提供的半导体器件，通过对半导体器件的导电沟道中掺杂进行控制，形成非对称结构，可以扩宽漏极一侧导电沟道宽度，使漏极一侧电场远离漏极侧表面，从而减少热载流子注入现象的发生。

主权项：1.一种半导体器件，其特征在于，包括：半导体衬底，其中所述半导体衬底中包括导电沟道和位于所述导电沟道两侧的第一掺杂区和第二掺杂区；以及栅极结构，位于所述导电沟道之上，其中所述栅极结构对应的所述导电沟道中设置有反态掺杂区形成的非对称结构，所述反态掺杂区设置在所述导电沟道中靠近所述第一掺杂区的一侧或者靠近所述第二掺杂区的一侧，所述反态掺杂区的长度小于所述导电沟道的长度，所述反态掺杂区与所述第一掺杂区和或所述第二掺杂区中掺杂离子的类型相同。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 长鑫存储技术有限公司 半导体器件

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