申请/专利权人：世界先进积体电路股份有限公司

申请日：2019-05-21

公开（公告）日：2020-11-24

公开（公告）号：CN111987090A

主分类号：H01L27/02(20060101)

分类号：H01L27/02(20060101)

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2020.12.11#实质审查的生效;2020.11.24#公开

摘要：本发明提供一种半导体装置结构。上述半导体装置结构包含半导体基板及设置于半导体基板上的栅极。上述半导体装置结构包含源极掺杂区及漏极掺杂区，设置于栅极相对两侧。上述半导体装置结构包含源极保护电路及漏极保护电路。其中从侧面透视图观看，漏极保护电路的第一漏极导电元件与源极保护电路的第一源极导电元件部分重叠。

主权项：1.一种半导体装置结构，其特征在于，所述的半导体装置结构包括：一半导体基板；一栅极，设置于所述的半导体基板上；一源极掺杂区，设置于所述的半导体基板内；一漏极掺杂区，设置于所述的半导体基板内，其中所述的源极掺杂区与所述的漏极掺杂区位于所述的栅极相对两侧；一源极保护电路，包括：多个源极接触窗，设置于所述的源极掺杂区上；以及多个第一源极导电元件，设置于所述的源极接触窗上，每一个第一源极导电元件电性连接至少一个源极接触窗；以及一漏极保护电路，包括：多个漏极接触窗，设置于所述的漏极掺杂区上；以及多个第一漏极导电元件，设置于所述的漏极接触窗上，每一个第一漏极导电元件电性连接至少一个漏极接触窗；其中从侧面透视图观看，所述的第一漏极导电元件与所述的第一源极导电元件部分重叠。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 世界先进积体电路股份有限公司 半导体装置结构

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