申请/专利权人：长鑫存储技术有限公司

申请日：2019-05-23

公开（公告）日：2020-11-24

公开（公告）号：CN111987100A

主分类号：H01L27/112(20060101)

分类号：H01L27/112(20060101);H01L23/525(20060101)

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2020.12.11#实质审查的生效;2020.11.24#公开

摘要：本发明实施例涉及一种半导体结构及其制造方法、存储器，半导体结构包括：衬底、栅极结构、第一源漏掺杂区以及第二源漏掺杂区；位于所述衬底内的反熔丝电容，所述第一源漏掺杂区作为所述反熔丝电容的电极板，所述反熔丝电容还包括：位于所述第一源漏掺杂区侧壁表面的电容介质层以及位于所述电容介质层表面的电容导电层。本发明实施例中，反熔丝电容设置于衬底内，且利用控制栅晶体管中的源极或者漏极作为反熔丝电容的下电极板，提供一种具有全新结构的半导体结构。

主权项：1.一种半导体结构，其特征在于，包括：衬底以及位于所述衬底表面的栅极结构；位于所述栅极结构一侧的衬底内的第一源漏掺杂区，所述第一源漏掺杂区的掺杂类型为N型掺杂或P型掺杂；位于所述栅极结构另一侧的衬底内的第二源漏掺杂区，所述第二源漏掺杂区与所述第一源漏掺杂区分别位于所述栅极结构相对的两侧，且所述第二源漏掺杂区的掺杂类型与所述第一源漏掺杂区的掺杂类型相同；位于所述衬底内的反熔丝电容，所述第一源漏掺杂区作为所述反熔丝电容的电极板，所述反熔丝电容还包括：位于所述第一源漏掺杂区侧壁表面的电容介质层以及位于所述电容介质层表面的电容导电层。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 长鑫存储技术有限公司 半导体结构及其制造方法、存储器

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