申请/专利权人：珠海格力电器股份有限公司;珠海零边界集成电路有限公司

申请日：2020-03-12

公开（公告）日：2020-11-27

公开（公告）号：CN212033027U

主分类号：H01L29/06(20060101)

分类号：H01L29/06(20060101);H01L29/40(20060101)

优先权：

专利状态码：有效-授权

法律状态：2020.11.27#授权

摘要：本实用新型公开了一种平电场沟槽功率半导体芯片终端结构及半导体芯片，所述芯片终端结构包括：位于N型衬底之上的P区和P+区，位于N型衬底的上表面的凹型沟槽，位于沟槽的底部及N型衬底表面的氧化层，位于氧化层之上的多晶硅栅极，位于多晶硅栅极及未被所述多晶硅栅极覆盖的氧化层表面之上的绝缘层，位于绝缘层之上的金属场板，位于金属场板及未被金属场板覆盖的绝缘层之上的钝化层，位于N型衬底之下的金属层。本实用新型的终端结构改进注入区域结构、多晶刻蚀结构及金属刻蚀结构，设置了平电场沟槽结构，使芯片的表面电场分布更加均匀，提升了芯片的耐压性能，增强了芯片的可靠性。

主权项：1.一种平电场沟槽半导体芯片终端结构，其特征在于，包括：在N型衬底上形成的P区和P+区，其中，所述P区和所述P+区彼此邻接；位于所述N型衬底表面上的凹型沟槽，其中，所述凹型沟槽的底部由第一表面、第二表面以及第三表面构成，其中，所述第一表面为所述P区的上表面，所述第二表面为所述P+区与所述P区邻接的区域的表面，所述第三表面为所述N型衬底与所述P区邻接的区域的表面；填充所述凹型沟槽且覆盖在所述凹型沟槽周边的所述P+区和所述N型衬底的表面上的氧化层；在所述氧化层上于靠近所述P+区的一侧间隔分布的多个多晶硅场板；位于所述多个多晶硅场板和未被所述多个多晶硅场板覆盖的所述氧化层表面上的绝缘层；在所述绝缘层上于相对所述多个多晶硅场板的上方设置的多个金属场板，其中，所述多个金属场板中的部分金属场板通过穿过其下方所述绝缘层的第一接触孔接触所述多晶硅场板，并且通过穿过其下方所述绝缘层、所述多晶硅场板和所述氧化层的第二接触孔接触所述P+区；在所述绝缘层上于相对未被所述多个多晶硅场板覆盖的所述氧化层表面的上方设置的金属场板；位于所述多个金属场板及未被所述金属场板覆盖的所述绝缘层表面上的钝化层；位于所述N型衬底之下的金属层。

全文数据：

权利要求：

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