申请/专利权人：河北工业大学;天津晶岭微电子材料有限公司

申请日：2020-11-05

公开（公告）日：2021-02-12

公开（公告）号：CN112355884A

主分类号：B24B37/04(20120101)

分类号：B24B37/04(20120101);C09G1/04(20060101)

优先权：

专利状态码：有效-授权

法律状态：2022.04.08#授权;2021.03.05#实质审查的生效;2021.02.12#公开

摘要：本发明公开了一种用于多层铜互连阻挡层CMP速率选择性的控制方法，旨在提供一种能控制不同材料的去除速率，从而实现对蝶形坑和蚀坑控制的方法。将抛光液加入抛光机中，在工作压力为1‑2PSI、抛盘转速为80‑100转分、抛头转速为78‑98转分、抛光液流量为200‑300mlmin的条件下抛光；所述抛光液由下述组分组成：硅溶胶5‑20％，功能型组分0.001‑10％，表面活性剂0.001‑10％，去离子水余量；功能型组分由A剂、B剂及C剂组成，A剂为FAO螯合剂、四羟基乙基乙二胺、乙二胺及三乙醇胺中的任一种，B剂为硫酸铜、甘氨酸铜、柠檬酸铜及柠檬酸螯合铜中的任一种；C剂为硝酸钾、柠檬酸钾、酒石酸钾中的一种或者任意混合。该方法能提高芯片成品率和良率。

主权项：1.一种用于多层铜互连阻挡层CMP速率选择性的控制方法，其特征在于，包括下述步骤：将抛光液加入抛光机中，在工作压力为1-2PSI、抛盘转速为80-100转分、抛头转速为78-98转分、抛光液流量为200-300mlmin的条件下抛光；所述抛光液按质量百分比计由下述组分组成：硅溶胶5-20％，功能型组分0.001-10％，表面活性剂0.001-10％，去离子水余量；所述功能型组分由A剂、B剂及C剂组成，所述A剂为FAO螯合剂、四羟基乙基乙二胺、乙二胺及三乙醇胺中的任一种，所述B剂为硫酸铜、甘氨酸铜、柠檬酸铜及柠檬酸螯合铜中的任一种；所述C剂为硝酸钾、柠檬酸钾、酒石酸钾、柠檬酸铵及硫酸铵中的一种或者任意混合；所述抛光液的pH值为7.5—10.5。

全文数据：

权利要求：

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