申请/专利权人：比亚迪半导体有限公司;广东比亚迪节能科技有限公司

申请日：2020-06-24

公开（公告）日：2021-02-23

公开（公告）号：CN212587480U

主分类号：H01L23/31(20060101)

分类号：H01L23/31(20060101)

优先权：

专利状态码：有效-授权

法律状态：2021.02.23#授权

摘要：本实用新型公开了一种芯片封装结构，该结构包括第一基板、第一芯片、第一连接件、第二芯片和第二基板，其中，第一基板上设有N个与第一基板绝缘设置的连接端子；第一芯片包括M个第一开关管设于第一基板上，各第一开关管的集电极与第一基板连接，门极通过邦线与一个连接端子连接，N≥2*M；第一连接件设于第一芯片上，与各第一开关管的发射极连接，各第一开关管的发射极之间绝缘设置；第二芯片包括M个第二开关管设于第一连接件上，各第二开关管的发射极与第二基板连接，集电极与一个第一开关管的发射极连接，门极通过邦线与一个连接端子连接。该芯片封装结构提高了芯片的散热面积，降低芯片的工作温度，从而提高芯片的可靠性和使用寿命。

主权项：1.一种芯片封装结构，其特征在于，包括：第一基板，所述第一基板上设有N个连接端子，所述连接端子与所述第一基板绝缘设置，其中，N为大于1的整数；第一芯片，所述第一芯片设于所述第一基板上，所述第一芯片包括M个第一桥臂，所述第一桥臂包括第一开关管，各所述第一开关管的集电极之间电气连接并形成第一汇流端，所述第一汇流端与所述第一基板电气连接，每个所述第一开关管的门极通过邦线与一个连接端子电气连接，其中，N≥2*M，M为正整数；第一连接件，所述第一连接件设于所述第一芯片上，并与各所述第一开关管的发射极电气连接，且各所述第一开关管的发射极之间绝缘设置；第二芯片，所述第二芯片设于所述第一连接件上，且间隔所述第一连接件与所述第一芯片正对设置，所述第二芯片包括M个第二桥臂，所述第二桥臂包括第二开关管，各所述第二开关管的发射极之间电气连接并形成第二汇流端，每个所述第二开关管的集电极均通过所述第一连接件与一个第一开关管的发射极电气连接，每个所述第二开关管的门极通过邦线与一个连接端子电气连接；第二基板，所述第二基板设于所述第二芯片上，并与所述第二汇流端电气连接。

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