申请/专利权人:长鑫存储技术有限公司
申请日:2019-10-11
公开(公告)日:2021-04-13
公开(公告)号:CN112652570A
主分类号:H01L21/768(20060101)
分类号:H01L21/768(20060101);H01L27/108(20060101)
优先权:
专利状态码:在审-实质审查的生效
法律状态:2021.04.30#实质审查的生效;2021.04.13#公开
摘要:本发明涉及一种接触结构、半导体器件结构及其制备方法,接触结构包括:导电插塞;钝化保护层,覆盖所述导电插塞的侧壁。上述接触结构中通过在导电插塞的侧壁形成钝化保护层,防止导电插塞暴露于空气中,避免导电插塞的表面被氧化,在酸洗工艺中钝化保护层可以保护导电插塞不被去除,确保导电插塞的形貌完整,保证了器件的导电性能。
主权项:1.一种接触结构,其特征在于,包括:导电插塞;钝化保护层,覆盖所述导电插塞的侧壁。
全文数据:
权利要求:
百度查询: 长鑫存储技术有限公司 接触结构、半导体器件结构及其制备方法
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