申请/专利权人：度亘激光技术(苏州)有限公司

申请日：2021-01-29

公开（公告）日：2021-04-27

公开（公告）号：CN112509917B

主分类号：H01L21/306(20060101)

分类号：H01L21/306(20060101);H01L21/321(20060101);H01L21/3213(20060101);H01L21/02(20060101)

优先权：

专利状态码：有效-授权

法律状态：2021.04.27#授权;2021.04.02#实质审查的生效;2021.03.16#公开

摘要：本发明提供了一种半导体结构制备方法及半导体结构，涉及半导体制备技术领域，半导体结构制备方法包括如下步骤：形成包括砷化镓层和铝镓砷层的叠层结构；在叠层结构的上表面形成掩模版；利用碱性溶液对砷化镓层进行刻蚀，形成贯穿砷化镓层的第一沟槽；利用等离子刻蚀方式对铝镓砷层进行刻蚀，在铝镓砷层内形成第二沟槽；去除掩模版，采用等离子体刻蚀由砷化镓层的上表面与第一沟槽内壁形成的第一拐角，以及由铝镓砷层的上表面和第二沟槽的内壁形成的第二拐角；使用氮等离子体处理第一沟槽的内壁和底部、第二沟槽的内壁和底部、砷化镓层的上表面；采用原子层沉积的方式在过渡层上方形成第一氮化硅层；在第一氮化硅层上形成第二氮化硅层。

主权项：1.一种半导体结构制备方法，其特征在于，包括如下步骤：S1.形成包括砷化镓层（110）和铝镓砷层（120）的叠层结构，其中，所述砷化镓层（110）位于铝镓砷层（120）的上方；S2.在叠层结构的上表面形成掩模版（200），所述掩模版（200）具有与所述砷化镓层（110）连通的开口；S3.通过所述开口，利用碱性溶液对砷化镓层（110）进行刻蚀，在砷化镓层（110）内形成贯穿所述砷化镓层（110）的第一沟槽（310）；S4.通过所述开口，利用等离子刻蚀方式对所述铝镓砷层（120）进行刻蚀，在所述铝镓砷层（120）内形成与所述第一沟槽（310）连通的第二沟槽（320），且所述第一沟槽（310）的宽度大于所述第二沟槽（320）的宽度；S5.去除掩模版（200），采用等离子体刻蚀由所述砷化镓层（110）的上表面与第一沟槽（310）内壁形成的第一拐角，以及由铝镓砷层（120）的上表面和第二沟槽（320）的内壁形成的第二拐角，使所述第一拐角和第二拐角形成向外凸出的圆弧状结构（400）；S6.自上而下，使用氮等离子体处理所述第一沟槽（310）的内壁和底部、第二沟槽（320）的内壁和底部、所述砷化镓层（110）的上表面以及第一拐角和第二拐角的表面，使所述第一沟槽（310）的内壁和底部、第二沟槽（320）的内壁和底部、所述砷化镓层（110）的上表面以及第一拐角和第二拐角的表面形成连续的含氮的过渡层（510）；S7.自上而下，采用原子层沉积的方式在过渡层（510）上方形成第一氮化硅层（520）；S8.在第一氮化硅层（520）上形成第二氮化硅层（530）。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 度亘激光技术(苏州)有限公司 半导体结构制备方法及半导体结构

免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。

阅读全文 双屏查看 官方信息 专利公告 收藏专利 下载PDF 下载WORD