申请/专利权人：英飞凌科技股份有限公司

申请日：2015-12-10

公开（公告）日：2021-07-16

公开（公告）号：CN113130634A

主分类号：H01L29/423(20060101)

分类号：H01L29/423(20060101);H01L21/28(20060101);H01L29/24(20060101);H01L21/336(20060101)

优先权：["20141211 US 14/567,504"]

专利状态码：有效-授权

法律状态：2023.07.25#授权;2021.08.03#实质审查的生效;2021.07.16#公开

摘要：本公开涉及形成具有屏蔽栅极的碳化硅器件的方法，其中，提供了一种碳化硅半导体衬底，其具有彼此横向间隔开并且在主表面之下的多个第一掺杂区域，以及形成从主表面延伸到在第一掺杂区域之上的第三掺杂区域的第二掺杂区域。形成从主表面延伸到第一掺杂区域的第四掺杂区域。形成具有布置在第一掺杂区域中的一个区域的一部分之上的底部的栅极沟槽。对衬底应用高温步骤从而沿着沟槽的侧壁对碳化硅原子进行重排列并且在栅极沟槽中形成圆角。从衬底去除在高温步骤期间沿着栅极沟槽的侧壁形成的表面层。

主权项：1.一种形成半导体器件的方法，包括：形成碳化硅半导体衬底，所述碳化硅半导体衬底具有彼此横向间隔开并且在所述衬底的主表面之下的多个第一掺杂区域、从所述主表面延伸到在所述第一掺杂区域之上的第三掺杂区域的第二掺杂区域、以及在所述衬底中的从所述主表面延伸到所述第一掺杂区域的多个第四掺杂区域，所述第二掺杂区域具有第一传导类型，并且所述第一掺杂区域、所述第三掺杂区域和所述第四掺杂区域具有第二传导类型，其中所述第一掺杂区域被掺杂为具有随着距所述主表面的增加的距离而增加的杂质浓度；对所述衬底进行退火，从而激活在所述第二掺杂区域、所述第三掺杂区域和所述第四掺杂区域中的杂质原子；形成栅极沟槽，使得所述栅极沟槽的侧壁在所述衬底的横向部分中延伸通过所述第二掺杂区域和所述第三掺杂区域，从而使所述侧壁与掩埋的所述第一掺杂区域间隔开，所述衬底的所述横向部分位于相邻的所述第一掺杂区域之间，其中所述栅极沟槽被形成为使得所述侧壁对准所述衬底的晶面并且所述侧壁垂直于所述主表面；在形成非氧化物和非氮化物的氛围中，应用高温步骤，从而沿着所述栅极沟槽的所述侧壁对碳化硅原子进行重排列并且形成在所述栅极沟槽的底部和所述侧壁之间的圆角；以及从所述衬底去除在所述高温步骤期间沿着所述栅极沟槽的所述侧壁形成的表面层。

全文数据：

权利要求：

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