申请/专利权人：三星电子株式会社

申请日：2020-11-25

公开（公告）日：2021-07-20

公开（公告）号：CN113140571A

主分类号：H01L27/11529(20170101)

分类号：H01L27/11529(20170101);H01L27/11556(20170101);H01L27/11573(20170101);H01L27/11582(20170101)

优先权：["20200120 KR 10-2020-0007187"]

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2023.03.03#实质审查的生效;2021.07.20#公开

摘要：提供了一种半导体装置及其制造方法。所述半导体装置包括：衬底，其包括单元区和连接区。连接区包括多个焊盘区和贯穿电极区。水平导电层位于衬底上。支撑件位于水平导电层上。支撑件包括单元区中的第一部分、多个焊盘区中的第二部分和贯穿电极区中的第三部分。连接导电层位于第一部分与水平导电层之间。连接模制层位于第三部分与水平导电层之间。设置穿过第三部分、连接模制层和水平导电层的第一埋置绝缘层。堆叠结构位于衬底上。设置穿过第一埋置绝缘层的贯穿电极。

主权项：1.一种半导体装置，包括：衬底，其包括单元区和与所述单元区连接的连接区，所述连接区包括多个焊盘区和位于所述多个焊盘区之间的贯穿电极区；水平导电层，其位于所述衬底上；支撑件，其位于所述水平导电层上，所述支撑件包括所述单元区中的第一部分、所述多个焊盘区中的第二部分和所述贯穿电极区中的第三部分；连接导电层，其位于所述支撑件的第一部分与所述水平导电层之间；连接模制层，其位于所述支撑件的第三部分与所述水平导电层之间；第一埋置绝缘层，其位于所述贯穿电极区中以穿过所述第三部分、所述连接模制层和所述水平导电层；单元沟道结构，其位于所述单元区中以穿过其中交替地堆叠有多个绝缘层和多个布线层的堆叠结构和所述第一部分，并且延伸到所述水平导电层的内部；以及贯穿电极，其位于所述贯穿电极区中以穿过所述第一埋置绝缘层。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 三星电子株式会社 包括支撑件的半导体装置及其制造方法

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