申请/专利权人：铠侠股份有限公司

申请日：2021-01-15

公开（公告）日：2021-10-12

公开（公告）号：CN113497058A

主分类号：H01L27/1157(20170101)

分类号：H01L27/1157(20170101);H01L27/11565(20170101);H01L27/11582(20170101)

优先权：["20200319 JP 2020-049902"]

专利状态码：有效-授权

法律状态：2024.02.02#授权;2021.10.29#实质审查的生效;2021.10.12#公开

摘要：本发明的半导体存储装置具备：层叠体，其是多个绝缘层与多个栅极电极层沿第1方向交替地层叠而成的层叠体；半导体层，其沿第1方向延伸；第1电荷蓄积层，其设置于半导体层与第1栅极电极层之间且包含硅及氮；第2电荷蓄积层，其设置于半导体层与第2栅极电极层之间，在与第1电荷蓄积层之间夹持第1绝缘层，与第1电荷蓄积层分离且包含硅及氮；第1绝缘膜，其设置于半导体层与第1电荷蓄积层之间、半导体层与第2电荷蓄积层之间及半导体层与第1绝缘层之间；第2绝缘膜，其设置于第1绝缘膜与第1电荷蓄积层之间、第1绝缘膜与第2电荷蓄积层之间及第1绝缘膜与第1绝缘层之间；以及第2绝缘层，其设置于第1电荷蓄积层与第1栅极电极层之间。

主权项：1.一种半导体存储装置，其具备：层叠体，该层叠体是多个绝缘层与多个栅极电极层沿第1方向交替地层叠而成的层叠体，所述多个栅极电极层包含第1栅极电极层和与所述第1栅极电极层在所述第1方向上相邻的第2栅极电极层，所述多个绝缘层包含位于所述第1栅极电极层与所述第2栅极电极层之间的第1绝缘层；半导体层，该半导体层沿所述第1方向延伸；第1电荷蓄积层，该第1电荷蓄积层被设置于所述半导体层与所述第1栅极电极层之间，且包含硅Si及氮N；第2电荷蓄积层，该第2电荷蓄积层被设置于所述半导体层与所述第2栅极电极层之间，在与所述第1电荷蓄积层之间夹持所述第1绝缘层，与所述第1电荷蓄积层分离且包含硅Si及氮N；第1绝缘膜，该第1绝缘膜被设置于所述半导体层与所述第1电荷蓄积层之间、所述半导体层与所述第2电荷蓄积层之间及所述半导体层与所述第1绝缘层之间；第2绝缘膜，该第2绝缘膜被设置于所述第1绝缘膜与所述第1电荷蓄积层之间、所述第1绝缘膜与所述第2电荷蓄积层之间及所述第1绝缘膜与所述第1绝缘层之间，且包含硅Si及氮N，与所述第1电荷蓄积层及所述第2电荷蓄积层相接，化学组成与所述第1电荷蓄积层及所述第2电荷蓄积层不同；以及第2绝缘层，该第2绝缘层被设置于所述第1电荷蓄积层与所述第1栅极电极层之间。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 铠侠股份有限公司 半导体存储装置及半导体存储装置的制造方法

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