【发明公布】半导体存储装置及半导体存储装置的制造方法_铠侠股份有限公司_202110053445.6 

申请/专利权人:铠侠股份有限公司

申请日:2021-01-15

公开(公告)日:2021-10-12

公开(公告)号:CN113497058A

主分类号:H01L27/1157(20170101)

分类号:H01L27/1157(20170101);H01L27/11565(20170101);H01L27/11582(20170101)

优先权:["20200319 JP 2020-049902"]

专利状态码:在审-公开

法律状态:2021.10.12#公开

摘要:本发明的半导体存储装置具备:层叠体,其是多个绝缘层与多个栅极电极层沿第1方向交替地层叠而成的层叠体;半导体层,其沿第1方向延伸;第1电荷蓄积层,其设置于半导体层与第1栅极电极层之间且包含硅及氮;第2电荷蓄积层,其设置于半导体层与第2栅极电极层之间,在与第1电荷蓄积层之间夹持第1绝缘层,与第1电荷蓄积层分离且包含硅及氮;第1绝缘膜,其设置于半导体层与第1电荷蓄积层之间、半导体层与第2电荷蓄积层之间及半导体层与第1绝缘层之间;第2绝缘膜,其设置于第1绝缘膜与第1电荷蓄积层之间、第1绝缘膜与第2电荷蓄积层之间及第1绝缘膜与第1绝缘层之间;以及第2绝缘层,其设置于第1电荷蓄积层与第1栅极电极层之间。

主权项:1.一种半导体存储装置,其具备:层叠体,该层叠体是多个绝缘层与多个栅极电极层沿第1方向交替地层叠而成的层叠体,所述多个栅极电极层包含第1栅极电极层和与所述第1栅极电极层在所述第1方向上相邻的第2栅极电极层,所述多个绝缘层包含位于所述第1栅极电极层与所述第2栅极电极层之间的第1绝缘层;半导体层,该半导体层沿所述第1方向延伸;第1电荷蓄积层,该第1电荷蓄积层被设置于所述半导体层与所述第1栅极电极层之间,且包含硅Si及氮N;第2电荷蓄积层,该第2电荷蓄积层被设置于所述半导体层与所述第2栅极电极层之间,在与所述第1电荷蓄积层之间夹持所述第1绝缘层,与所述第1电荷蓄积层分离且包含硅Si及氮N;第1绝缘膜,该第1绝缘膜被设置于所述半导体层与所述第1电荷蓄积层之间、所述半导体层与所述第2电荷蓄积层之间及所述半导体层与所述第1绝缘层之间;第2绝缘膜,该第2绝缘膜被设置于所述第1绝缘膜与所述第1电荷蓄积层之间、所述第1绝缘膜与所述第2电荷蓄积层之间及所述第1绝缘膜与所述第1绝缘层之间,且包含硅Si及氮N,与所述第1电荷蓄积层及所述第2电荷蓄积层相接,化学组成与所述第1电荷蓄积层及所述第2电荷蓄积层不同;以及第2绝缘层,该第2绝缘层被设置于所述第1电荷蓄积层与所述第1栅极电极层之间。

全文数据:

权利要求:

百度查询: 铠侠股份有限公司 半导体存储装置及半导体存储装置的制造方法