申请/专利权人：东京毅力科创株式会社

申请日：2021-03-08

公开（公告）日：2021-10-12

公开（公告）号：CN113496888A

主分类号：H01L21/3065(20060101)

分类号：H01L21/3065(20060101);H01L21/67(20060101);H01J37/32(20060101)

优先权：["20200318 JP 2020-047262"]

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2022.12.30#实质审查的生效;2021.10.12#公开

摘要：本发明提供能够进行比气体切换方式高速且高选择比的蚀刻的基片处理方法和基片处理装置。基片处理方法具有：步骤a，向配置有载置台的处理容器中供给包含碳氟化合物和稀有气体的处理气体，其中，在载置台载置有包含由氧化硅构成的第一区域的被处理体；步骤b，用在第一等离子体生成条件下生成的处理气体的第一等离子体，对被处理体进行等离子体处理；步骤c，用在与第一等离子体生成条件不同的第二等离子体生成条件下生成的处理气体的第二等离子体，对被处理体上产生了偏置电位的该被处理体进行等离子体处理；和步骤d，反复进行步骤b和步骤c。

主权项：1.一种基片处理装置中的基片处理方法，其特征在于，具有：步骤a，向配置有载置台的处理容器中供给包含碳氟化合物和稀有气体的处理气体，其中，在所述载置台载置有包含由氧化硅构成的第一区域的被处理体；步骤b，用在第一等离子体生成条件下生成的所述处理气体的第一等离子体，对所述被处理体进行等离子体处理；步骤c，用在与所述第一等离子体生成条件不同的第二等离子体生成条件下生成的所述处理气体的第二等离子体，对所述被处理体上产生了偏置电位的该被处理体进行等离子体处理；和步骤d，反复进行所述步骤b和所述步骤c。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 东京毅力科创株式会社 基片处理方法和基片处理装置

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