申请/专利权人：日本电信电话株式会社

申请日：2020-04-07

公开（公告）日：2021-11-19

公开（公告）号：CN113678266A

主分类号：H01L31/10(20060101)

分类号：H01L31/10(20060101)

优先权：["20190409 JP 2019-073929"]

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2021.12.07#实质审查的生效;2021.11.19#公开

摘要：本发明提供一种增加制造工艺的裕度，能不牺牲受光灵敏度而实现高速工作的半导体受光元件。本发明的半导体受光元件200具备：掺杂有第一杂质的半导体层202；半导体光吸收层203，在掺杂有所述第一杂质的半导体层202上，以吸收入射光的方式对带隙能量进行调整；掺杂有第二杂质的半导体层204，在所述半导体光吸收层203上；以及金属电极206，与掺杂有所述第二杂质的半导体的侧面相接，所述半导体受光元件200的特征在于，所述金属电极206的侧面是与掺杂有所述第二杂质的半导体层204的生长方向平行的面。

主权项：1.一种半导体受光元件，具备：掺杂有第一杂质的半导体层；半导体光吸收层，在掺杂有所述第一杂质的半导体层上，以吸收入射光的方式对带隙能量进行调整；掺杂有第二杂质的半导体层，在所述半导体光吸收层上；以及金属电极，与掺杂有所述第二杂质的半导体层的侧面接触，所述半导体受光元件的特征在于，所述金属电极的侧面是与掺杂有所述第二杂质的半导体层的生长方向平行的面。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 日本电信电话株式会社 半导体受光元件

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