申请/专利权人：三星电子株式会社

申请日：2020-12-10

公开（公告）日：2021-11-23

公开（公告）号：CN113690239A

主分类号：H01L27/108(20060101)

分类号：H01L27/108(20060101)

优先权：["20200518 KR 10-2020-0058999"]

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2022.08.19#实质审查的生效;2021.11.23#公开

摘要：公开了一种半导体装置，所述半导体装置包括第一导线和与第一导线间隔开的第二导线。半导体图案设置在第一导线与第二导线之间。半导体图案包括具有第一导电类型杂质的、设置为与第一导线相邻的第一半导体图案。具有第二导电类型杂质的第二半导体图案设置为与第二导线相邻。第三半导体图案设置在第一半导体图案与第二半导体图案之间。第三半导体图案包括设置为与第一半导体图案相邻的第一区域和设置在第一区域与第二半导体图案之间的第二区域。第一区域和第二区域中的至少一个包括本征半导体层。第一栅极线与第一区域交叉，并且第二栅极线与第二区域交叉。

主权项：1.一种半导体装置，所述半导体装置包括：第一导线；第二导线，与第一导线间隔开；半导体图案，设置在第一导线与第二导线之间，半导体图案包括：第一半导体图案，设置为与第一导线相邻，第一半导体图案具有第一导电类型杂质；第二半导体图案，设置为与第二导线相邻，第二半导体图案具有与第一导电类型杂质不同的第二导电类型杂质；以及第三半导体图案，设置在第一半导体图案与第二半导体图案之间，第三半导体图案包括设置为与第一半导体图案相邻的第一区域和设置在第一区域与第二半导体图案之间的第二区域，其中，第一区域和第二区域中的至少一个包括本征半导体层；第一栅极线，与第一区域交叉；以及第二栅极线，与第二区域交叉。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 三星电子株式会社 包括半导体图案的半导体装置

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