申请/专利权人：苏州华太电子技术有限公司

申请日：2020-08-27

公开（公告）日：2022-03-01

公开（公告）号：CN114122131A

主分类号：H01L29/78(20060101)

分类号：H01L29/78(20060101);H01L29/06(20060101);H01L21/336(20060101)

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2022.03.18#实质审查的生效;2022.03.01#公开

摘要：本发明公开了一种应用于射频放大的RFLDMOS器件及其制作方法。所述RFLDMOS器件包括依次叠层设置的衬底和外延层，所述外延层内分布有沟道区、漂移区和阱区，所述漂移区内形成有漏区，所述阱区内形成有源区和掺杂区，所述沟道区还分别与所述阱区、漂移区电性接触或电性结合，所述源区还与所述掺杂区电性接触或电性结合；以及，源极、栅极和漏极，所述栅极对应设置在所述沟道区的上方，所述源极与所述源区电连接，所述漏极与所述漏区电连接，所述源极还经一导电通道与所述衬底连接；所述衬底、外延层、阱区和掺杂区均为第一掺杂类型，所述沟道区、漂移区、源区、漏区均为第二掺杂类型。本发明提供的RFLDMOS器件，有效抑制了沟道热载流子注入效应，提升了电流密度。

主权项：1.一种应用于射频放大的RFLDMOS器件，其特征在于包括依次叠层设置的衬底和外延层，所述外延层内分布有沟道区、漂移区和阱区，所述漂移区内形成有漏区，所述阱区内形成有源区和掺杂区，所述沟道区还分别与所述阱区、漂移区电性接触或电性结合，所述源区还与所述掺杂区电性接触或电性结合；以及，源极、栅极和漏极，所述栅极对应设置在所述沟道区的上方，所述源极与所述源区电连接，所述漏极与所述漏区电连接，并且，所述源极还经一导电通道与所述衬底连接；其中，所述衬底、外延层、阱区和掺杂区均为第一掺杂类型，所述沟道区、漂移区、源区、漏区均为第二掺杂类型。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 苏州华太电子技术有限公司 应用于射频放大的RFLDMOS器件及其制作方法

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