申请/专利权人：南京邮电大学

申请日：2022-06-23

公开（公告）日：2022-09-20

公开（公告）号：CN115083787A

主分类号：H01G9/20

分类号：H01G9/20

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2022.10.11#实质审查的生效;2022.09.20#公开

摘要：本发明公开了一种超薄氧化物修饰的半导体电极的制备方法，并将该电极应用于光电化学转化器件中。该制备方法包括以下步骤：S1：首先在导电基底上运用电泳法或滴涂法制备半导体薄膜；S2：取一定量的金属源，溶于溶剂中，配制成为前驱溶液；S3：将S2制备的溶液滴涂、旋涂或浸涂在S1制备的薄膜上；S4：在S3基础上进行氧等离子体（plasma）处理。本发明提供了一种操作简单、制备时间短、可大规模生产的超薄氧化物薄膜的制备方法，而且该超薄氧化物薄膜可以大幅提升光电化学（PEC）分解水性能，降低光催化产氢产氧成本，具有很好的应用前景。

主权项：1.一种超薄氧化物修饰的半导体电极的制备方法，其特征在，包括以下步骤：S1：在导电基底上运用电泳法或滴涂法制备半导体薄膜；S2：取金属源溶于溶剂中，配制成为前驱溶液；S3：待S1制备的薄膜干燥后，将S2制备的溶液涂覆在S1制备的薄膜上；S4：对S3制备的材料进行氧等离子体处理。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 南京邮电大学 一种超薄氧化物修饰的半导体电极及其制备方法

免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。

阅读全文 双屏查看 官方信息 专利公告 收藏专利 下载PDF 下载WORD