申请/专利权人：思特威(上海)电子科技股份有限公司

申请日：2022-06-24

公开（公告）日：2022-11-08

公开（公告）号：CN217768385U

主分类号：H01L29/423

分类号：H01L29/423;H01L27/146

优先权：

专利状态码：有效-授权

法律状态：2022.11.08#授权

摘要：本实用新型提供一种改善像素场效应晶体管GIDL的图像传感器，图像传感器包括像素场效应晶体管及外围逻辑场效应晶体管，像素场效应晶体管包括电荷传输栅极及漂浮扩散有源区，电荷传输栅极中靠近漂浮扩散有源区一端的栅极边缘区域与外围逻辑场效应晶体管的栅极边缘区域具有不同结构，使得电荷传输栅极中靠近漂浮扩散有源区一端的栅极边缘区域的电场强度低于电荷传输栅极的栅极中心区域的电场强度，以改善像素场效应晶体管的GIDL现象，提高CIS的图像质量。

主权项：1.一种改善像素场效应晶体管GIDL的图像传感器，其特征在于，所述图像传感器包括像素场效应晶体管及外围逻辑场效应晶体管，所述像素场效应晶体管包括电荷传输栅极及漂浮扩散有源区，所述电荷传输栅极靠近所述漂浮扩散有源区一端的栅极边缘区域与所述外围逻辑场效应晶体管对应的栅极边缘区域具有不同结构，所述电荷传输栅极靠近所述漂浮扩散有源区一端的栅极边缘区域的电场强度低于所述电荷传输栅极中心区域的电场强度。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 思特威(上海)电子科技股份有限公司 改善像素场效应晶体管GIDL的图像传感器

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