申请/专利权人：上海华力集成电路制造有限公司

申请日：2023-05-12

公开（公告）日：2023-07-28

公开（公告）号：CN116507130A

主分类号：H10B43/40

分类号：H10B43/40;H10B43/30;H01L29/08;H01L21/336

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2023.08.15#实质审查的生效;2023.07.28#公开

摘要：本发明提供一种改善SONOS存储器GIDL漏电的方法，提供半导体结构，半导体结构包括：基底上的区域包括SONOS器件区域和Core器件区域；位于基底上的栅氧层；SONOS器件区域和Core器件区域的栅氧层上分别形成有栅极结构；半导体结构上形成有覆盖所述栅极结构的氧化层，同时氧化层覆盖于栅极结构之外的栅氧层上；在氧化层上沉积SiN层；定义SONOS器件区域的LDD注入区，按LDD注入区将SONOS器件区域上除栅极结构侧壁之外的SiN层去除，依附于SONOS器件区域的栅极结构侧壁的SiN层形成为侧墙；沿侧墙在SONOS器件区域的LDD注入区进行离子注入；去除侧墙，之后去除Core器件区域的SiN层。在SONOS器件区域形成SIN侧墙，减少SONOSLDD注入区与其栅极结构的下方的栅氧层的交叠区域，达到减少GIDL漏电的目的。

主权项：1.一种改善SONOS存储器GIDL漏电的方法，其特征在于，至少包括：步骤一、提供半导体结构，所述半导体结构包括：基底；所述基底上的区域包括SONOS器件区域和Core器件区域；位于所述基底上的栅氧层；所述SONOS器件区域和Core器件区域的栅氧层上分别形成有栅极结构；所述半导体结构上形成有覆盖所述栅极结构的氧化层，同时所述氧化层覆盖于所述栅极结构之外的栅氧层上；步骤二、在所述氧化层上沉积SiN层；步骤三、定义所述SONOS器件区域的LDD注入区，按所述LDD注入区将所述SONOS器件区域上除所述栅极结构侧壁之外的所述SiN层去除，依附于所述SONOS器件区域的栅极结构侧壁的SiN层形成为侧墙；步骤四、沿所述侧墙在所述SONOS器件区域的LDD注入区进行离子注入；步骤五、去除所述侧墙，之后去除所述Core器件区域的所述SiN层。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 上海华力集成电路制造有限公司 一种改善SONOS存储器GIDL漏电的方法

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