申请/专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司

申请日：2022-09-29

公开（公告）日：2022-11-29

公开（公告）号：CN115408971A

主分类号：G06F30/347

分类号：G06F30/347

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2022.12.16#实质审查的生效;2022.11.29#公开

摘要：一种外延工艺的模拟方法，包括：获取待模拟外延工艺，所述待模拟外延工艺包括若干待模拟外延阶段，各待模拟外延阶段具有对应的初始外延时间速率关系模型；获取若干组外延工艺参数，各外延工艺参数包括外延速率和外延时间；根据至少一组外延工艺参数中的外延速率和外延时间对任一所述待模拟外延阶段的初始外延时间速率关系模型进行拟合，获取所述待模拟外延阶段对应的参考外延时间速率关系模型；根据所述若干待模拟外延阶段对应的参考外延时间速率关系模型，获取所述待模拟外延工艺的模拟外延填充量。所述外延工艺的模拟方法改善了深沟槽填充工艺的调整方式，简化了填充工艺的调整步骤，缩短了工艺调整时间，提升了工艺调整效率。

主权项：1.一种外延工艺的模拟方法，其特征在于，包括：获取待模拟外延工艺，所述待模拟外延工艺包括若干待模拟外延阶段，各待模拟外延阶段具有对应的初始外延时间速率关系模型；获取若干组外延工艺参数，各外延工艺参数包括外延速率和外延时间；根据至少一组外延工艺参数中的外延速率和外延时间对任一所述待模拟外延阶段的初始外延时间速率关系模型进行拟合，获取所述待模拟外延阶段对应的参考外延时间速率关系模型；根据所述若干待模拟外延阶段对应的参考外延时间速率关系模型，获取所述待模拟外延工艺的模拟外延填充量。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 上海华虹宏力半导体制造有限公司 外延工艺的模拟方法

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