申请/专利权人：夏泰鑫半导体(青岛)有限公司

申请日：2020-01-21

公开（公告）日：2022-12-02

公开（公告）号：CN113223951B

主分类号：H01L21/285

分类号：H01L21/285

优先权：

专利状态码：有效-授权

法律状态：2022.12.02#授权;2021.08.24#实质审查的生效;2021.08.06#公开

摘要：一种半导体处理工艺，其包括以下步骤：提供复合结构，包括层叠设置的硅基体及绝缘层，且所述绝缘层上开设有露出部分所述硅基体的开口；在第一温度下沉积第一钛层，所述第一钛层形成于所述绝缘层背离所述硅基体的表面、所述开口的侧壁及从所述开口露出的部分所述硅基体，且从所述开口露出的所述硅基体的表面与部分沉积的所述第一钛层反应形成硅化钛层；通入氨气对所述第一钛层进行氮化处理，使得所述第一钛层远离所述硅基体的部分反应形成氮化钛层；以及在第二温度下沉积第二钛层，所述第二钛层覆盖所述氮化钛层，其中，所述第一温度小于所述第二温度。本发明还提供由上述半导体处理工艺制得的半导体器件。

主权项：1.一种半导体处理工艺，其包括以下步骤：提供复合结构，包括层叠设置的硅基体及绝缘层，且所述绝缘层上开设有露出部分所述硅基体的开口；在第一温度下沉积第一钛层，所述第一钛层形成于所述绝缘层背离所述硅基体的表面、所述开口的侧壁及从所述开口露出的部分所述硅基体，且从所述开口露出的所述硅基体的表面与部分沉积的所述第一钛层反应形成硅化钛层，其中，在所述第一温度下沉积的所述第一钛层的厚度为10埃至50埃，在所述第一温度下形成的所述硅化钛层的厚度为5埃至45埃；通入氨气对所述第一钛层进行氮化处理，使得所述第一钛层远离所述硅基体的部分反应形成氮化钛层，其中，氮化处理后，所述硅化钛层的厚度为15埃至55埃，所述氮化钛层的厚度为5埃至15埃，所述第一钛层的厚度为5埃至45埃；以及在第二温度下沉积第二钛层，所述第二钛层覆盖所述氮化钛层，其中，所述第一温度小于所述第二温度，在所述第二钛层沉积完成后，所述第二钛层的厚度为50埃至200埃，所述硅化钛层的厚度为20埃至60埃，所述氮化钛层的厚度为15埃至55埃，所述第一钛层的厚度为小于或等于40埃，所述第一温度与所述第二温度的温差为200℃至300℃，所述第一温度为100℃至500℃，所述第二温度为350℃至750℃。

全文数据：

权利要求：

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