申请/专利权人：英飞凌科技股份有限公司

申请日：2022-06-21

公开（公告）日：2023-01-06

公开（公告）号：CN115579387A

主分类号：H01L29/739

分类号：H01L29/739;H01L29/06;H01L29/45;H01L29/861;H01L21/331

优先权：["20210621 DE 102021115946.6"]

专利状态码：在审-公开

法律状态：2023.01.06#公开

摘要：公开了包括突出区的半导体器件。提出了一种半导体器件。半导体器件包括被布置在半导体本体的第一表面和第二表面之间的第一导电类型的漂移区。半导体器件进一步包括在第二表面处的第一导电类型的第一区。半导体器件进一步包括在第二表面处的被布置成相邻于第一区的第二导电类型的第二区。第二区包括第一子区和第二子区。第二子区被布置在第一子区和第二表面之间。半导体器件进一步包括在第二表面上的第一电极。第一电极被布置成直接相邻于第一区和第二子区。第一电极被借助于第一区电连接到漂移区。第一子区沿着第一横向方向经第二子区和第一区之间的界面或分离区突出。沿着竖向方向由第一子区和第一电极界定第一区的一部分。

主权项：1.一种半导体器件100，包括：第一导电类型的漂移区102，其被布置在半导体本体108的第一表面104和第二表面106之间；在第二表面106处的第一导电类型的第一区110；在第二表面处的被布置成相邻于第一区110的第二导电类型的第二区112，其中第二区112包括第一子区1121和第二子区1122，第二子区1122被布置在第一子区1121和第二表面106之间；在第二表面106上的第一电极114，其中电极114被布置成直接相邻于第一区110和第二子区1122，并且第一电极114被借助于第一区110电连接到漂移区102，以及第一子区1121沿着第一横向方向x1经第二子区1122和第一区110之间的界面115或分离区124突出，其中沿着竖向方向y由第一子区1121和第一电极114界定第一区110的一部分。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 英飞凌科技股份有限公司 包括突出区的半导体器件

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