申请/专利权人：上海积塔半导体有限公司

申请日：2022-12-06

公开（公告）日：2023-03-14

公开（公告）号：CN115799221A

主分类号：H01L23/544

分类号：H01L23/544

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2023.03.31#实质审查的生效;2023.03.14#公开

摘要：本公开涉及一种半导体测试结构及半导体结构。一种半导体测试结构，包括第一测试结构，第一测试结构包括多个沿第一方向平行间隔排布的第一测试图形结构，各相邻第一测试图形结构之间间隙的深宽比不尽相同。上述半导体测试结构可以实现实时监控芯片工艺制程中薄膜层的台阶覆盖情况，进而及时掌握芯片工艺制程中不同结构的薄膜层的台阶覆盖质量。

主权项：1.一种半导体测试结构，其特征在于，包括：第一测试结构，所述第一测试结构包括：多个沿第一方向平行间隔排布的第一测试图形结构，各相邻所述第一测试图形结构之间间隙的深宽比不尽相同。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 上海积塔半导体有限公司 半导体测试结构及半导体结构

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