申请/专利权人：株式会社东芝;东芝电子元件及存储装置株式会社

申请日：2021-12-27

公开（公告）日：2023-03-17

公开（公告）号：CN115810662A

主分类号：H01L29/739

分类号：H01L29/739;H01L29/06

优先权：["20210915 JP 2021-150262"]

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2023.04.04#实质审查的生效;2023.03.17#公开

摘要：实施方式的半导体装置具备半导体部、第一电极、第二电极以及控制电极。所述半导体部设置于所述第一电极与所述第二电极之间，包含第一导电型的第一层以及第三层、以及第二导电型的第二层、第四层以及第五层。所述第一层在所述第一电极与所述第二电极之间延伸，所述第二层设置于所述第一半导体层与所述第二电极之间，所述第三半导体层设置于所述第二层与所述第二电极之间，所述第四层设置于所述第一层与所述第一电极之间。所述半导体部具有包含所述控制电极、所述第二层及所述第三层的有源区域和包围所述有源区域的终端区域。所述5层在所述终端区域中设置于所述第一半导体层中。

主权项：1.一种半导体装置，具备：半导体部，包含：第一导电型的第一半导体层、第二导电型的第二半导体层、所述第一导电型的第三半导体层、所述第二导电型的第四半导体层、以及所述第二导电型的第五半导体层；第一电极，设置于所述半导体部的背面上；第二电极，设置于所述半导体部的表面上，且构成为：所述第一半导体层在所述第一电极与所述第二电极之间延伸，所述第二半导体层设置于所述第一半导体层与所述第二电极之间，所述第三半导体层部分地设置于所述第二半导体层与所述第二电极之间，所述第四半导体层设置于所述第一半导体层与所述第一电极之间；以及控制电极，配置于在所述半导体部设置的沟槽的内部，位于所述半导体部与所述第二电极之间，通过第一绝缘膜而与所述半导体部电绝缘，通过第二绝缘膜而与所述第二电极电绝缘，从所述半导体部的所述表面侧向所述第一半导体层中延伸，所述控制电极构成为所述第二半导体层隔着所述第一绝缘膜而与所述控制电极相对，所述半导体部包含有源区域和终端区域，所述有源区域包含所述控制电极、所述第二半导体层及所述第三半导体层，所述终端区域包围所述有源区域，所述第五半导体层在所述终端区域中设置于所述第一半导体层中，在沿着所述第一半导体层与所述第四半导体层的边界的第一方向上延伸，在从所述第一电极朝向所述第二电极的第二方向上，从所述第五半导体层到所述半导体部的所述表面的第一距离比从所述第五半导体层到所述半导体部的所述背面的第二距离长。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 株式会社东芝;东芝电子元件及存储装置株式会社 半导体装置

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