申请/专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司

申请日：2022-07-11

公开（公告）日：2023-03-17

公开（公告）号：CN115811932A

主分类号：H10N70/20

分类号：H10N70/20;H10B63/00

优先权：["20211115 US 63/279,392","20220406 US 17/714,350"]

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2023.04.04#实质审查的生效;2023.03.17#公开

摘要：本发明的实施例提供了电阻式存储器器件及其形成方法。电阻式存储器器件包括底部电极、位于所述底部电极上方的切换层，切换层包括第一水平部分、位于所述底部电极的上表面上方的第二水平部分以及位于所述第一水平部分和第二水平部分之间的底部电极的侧表面上方的第一垂直部分，位于切换层上方的顶部电极，顶部电极包括第一水平部分、第二水平部分以及第一垂直部分，以及导电通孔，位于顶部电极上方并且接触顶部电极的第一水平部分、第二水平部分和第一垂直部分。通过提供符合底部电极的非平面轮廓的切换层和顶部电极，电荷聚集和电场的局部增加可以促进电阻状态切换并提供降低的操作电压。

主权项：1.一种电阻式存储器器件，包括：底部电极；切换层，位于所述底部电极上方，所述切换层包括第一水平部分、位于所述底部电极的上表面上方的第二水平部分以及位于所述第一水平部分和所述第二水平部分之间的所述底部电极的侧表面上方的第一垂直部分；顶部电极，位于所述切换层上方，所述顶部电极包括位于所述切换层的所述第一水平部分上方的第一水平部分、位于所述切换层的所述第二水平部分上方的第二水平部分以及位于所述顶部电极的所述第一水平部分和所述第二水平部分之间的所述切换层的所述第一垂直部分上方的第一垂直部分；以及导电通孔，位于所述顶部电极上方并且接触所述顶部电极的所述第一水平部分、所述第二水平部分和所述第一垂直部分。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 台湾积体电路制造股份有限公司 电阻式存储器器件及其形成方法

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