申请/专利权人：西安奕斯伟材料科技有限公司;西安奕斯伟硅片技术有限公司

申请日：2022-11-08

公开（公告）日：2023-04-04

公开（公告）号：CN115889293A

主分类号：B08B3/02

分类号：B08B3/02;B08B3/08;B08B13/00;H01L21/67;H01L21/02

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2023.04.21#实质审查的生效;2023.04.04#公开

摘要：本发明实施例公开了一种清洗硅片的周缘的装置、方法及清洗硅片的设备，所述装置包括：硅片支承机构，所述硅片支承机构用于将所述硅片水平地支承；第一清洗液喷嘴，所述第一清洗液喷嘴用于喷射清洗液的射束并且使所述射束入射至被支承的所述硅片的周缘，其中，所述射束的下边缘在入射点处与所述硅片的底面齐平并且所述射束的竖向高度为所述硅片的厚度的1.25至1.75倍，所述射束从所述硅片的下方入射并且与所述硅片之间的夹角为5°，所述射束在所述硅片所在平面中的投影与所述硅片的经过所述入射点的切线之间的夹角为40°至50°，所述射束的速度介于2ms至6ms之间。

主权项：1.一种用于清洗硅片的周缘的装置，其特征在于，所述装置包括：硅片支承机构，所述硅片支承机构用于将所述硅片水平地支承；第一清洗液喷嘴，所述第一清洗液喷嘴用于喷射清洗液的射束并且使所述射束入射至被支承的所述硅片的周缘，其中，所述射束的下边缘在入射点处与所述硅片的底面齐平并且所述射束的竖向高度为所述硅片的厚度的1.25至1.75倍，所述射束从所述硅片的下方入射并且与所述硅片之间的夹角为5°，所述射束在所述硅片所在平面中的投影与所述硅片的经过所述入射点的切线之间的夹角为40°至50°，所述射束的速度介于2ms至6ms之间。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 西安奕斯伟材料科技有限公司;西安奕斯伟硅片技术有限公司 清洗硅片的周缘的装置、方法及清洗硅片的设备

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