申请/专利权人：应用材料公司

申请日：2021-10-15

公开（公告）日：2023-08-01

公开（公告）号：CN116529419A

主分类号：C23C16/52

分类号：C23C16/52

优先权：["20201020 US 17/074,961"]

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2023.08.18#实质审查的生效;2023.08.01#公开

摘要：示例性沉积方法可包括在第一电压下将半导体基板静电卡紧在半导体处理腔室的处理区域内。所述方法可包括执行沉积工艺。沉积工艺可包括在半导体处理腔室的处理区域内形成等离子体。所述方法可包括暂停等离子体在半导体处理腔室内的形成。所述方法可包括与所述暂停同时地，将静电卡紧的第一电压增大至第二电压。所述方法可包括净化半导体处理腔室的处理区域。

主权项：1.一种沉积方法，所述方法包括：在第一电压下将半导体基板静电卡紧在半导体处理腔室的处理区域内；执行沉积工艺，其中，所述沉积工艺包括在所述半导体处理腔室的所述处理区域内形成等离子体；暂停所述等离子体在所述半导体处理腔室内的形成；与所述暂停同时地，将静电卡紧的所述第一电压增大至第二电压；以及净化所述半导体处理腔室的所述处理区域。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 应用材料公司 减少多层PECVD TEOS氧化物膜中的缺陷的方法

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