申请/专利权人：中山大学

申请日：2023-08-02

公开（公告）日：2023-11-28

公开（公告）号：CN117133808A

主分类号：H01L29/78

分类号：H01L29/78;H01L29/06;H01L29/423;H01L21/336

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2023.12.15#实质审查的生效;2023.11.28#公开

摘要：本发明公开了一种抗单粒子瞬态的FDSOI器件及其实现方法，其中，器件自上而下包括：金属氧化物半导体场效应晶体管、二氧化硅埋氧层、背栅调控层和衬底层；其中，所述背栅调控层包括二氧化铪铁电层和氮化硅缺陷层；所述二氧化铪铁电层包括掺杂有钆离子的氧化铪薄膜，用于对氮化硅缺陷层的负电位进行放大；所述氮化硅缺陷层，用于吸收辐照产生的电子形成负电位。本发明实施例通过利用氮化硅缺陷层吸收辐照产生的电子流形成衬底负电位，利用氧化铪铁电层放大负电位的影响，从而实现动态的负偏背栅电压调控作用，可广泛应用于半导体技术领域。

主权项：1.一种抗单粒子瞬态的FDSOI器件，其特征在于，所述器件自上而下包括：金属氧化物半导体场效应晶体管、二氧化硅埋氧层、背栅调控层和衬底层；其中，所述金属氧化物半导体场效应晶体管包括栅极、栅极氧化层、源极、漏极、漏极扩展区和源极扩展区，所述栅极布置在所述栅极氧化层上，所述栅极氧化层的底部一侧与所述漏极扩展区接触，底部另一侧与所述源极扩展区接触，所述漏极扩展区和所述源极扩展区布置在所述二氧化硅埋氧层上，所述栅极氧化层与所述漏极扩展区、所述源极扩展区和所述二氧化硅埋氧层之间形成沟道区域，所述源极布置在所述源极扩展区外侧，所述漏极布置在所述漏极扩展区外侧；所述背栅调控层包括二氧化铪铁电层和氮化硅缺陷层；所述二氧化铪铁电层包括掺杂有钆离子的氧化铪薄膜，用于对氮化硅缺陷层的负电位进行放大；所述氮化硅缺陷层，用于吸收辐照产生的电子形成负电位。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 中山大学 一种抗单粒子瞬态的FDSOI器件及其实现方法

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