申请/专利权人：上海兆方半导体有限公司

申请日：2023-12-11

公开（公告）日：2024-03-19

公开（公告）号：CN117727734A

主分类号：H01L23/528

分类号：H01L23/528;H01L27/12;H01L21/84;H01L21/768

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2024.04.05#实质审查的生效;2024.03.19#公开

摘要：本发明涉及一种具有双侧互连的对称型双栅FDSOI器件及其制造方法，所述器件包括位于第一衬底的背栅极、背栅极接触和背侧互连结构，位于第二衬底的背栅氧、超薄硅体、正栅氧、正栅极、抬起的源漏极、正栅源漏极接触和正侧互连结构。所述方法包括：预制背栅极于第一衬底；预制背栅氧于第二衬底；第一、二衬底的晶圆键合；第二衬底的智能剥离，形成以第一衬底为支撑的SOI晶圆；形成对称型双栅FDSOI；形成正侧互连结构；形成背侧互连结构。将背栅极、晶圆键合、超薄硅体和硅通孔等工艺与CMOS工艺整合，简化了对称型双栅FDSOI的制造工艺，节省了制造成本，同时在芯片正、背面形成双侧控制电路，节省了芯片面积。

主权项：1.一种具有双侧互连的对称型双栅FDSOI器件，其特征在于，一对称型双栅FDSOI器件，其双侧均匀设置有金属互连结构，即为具有双侧互连的对称型双栅FDSOI器件；其中，正侧金属互连结构形成在对称型双栅FDSOI器件的超薄硅体上方，背侧金属互连结构形成在对称型双栅FDSOI器件的第一衬底下方，正侧金属互连结构与背侧金属互连结构通过贯穿对称型双栅FDSOI器件的超薄硅体、第一衬底的硅通孔互连，背侧金属互连结构通过硅通孔连接对称型双栅FDSOI器件的背栅。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 上海兆方半导体有限公司 一种具有双侧互连的对称型双栅FDSOI器件及其制造方法

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