申请/专利权人：上海华力集成电路制造有限公司

申请日：2020-03-24

公开（公告）日：2023-09-19

公开（公告）号：CN111403288B

主分类号：H01L21/336

分类号：H01L21/336;H01L27/02

优先权：

专利状态码：有效-授权

法律状态：2023.09.19#授权;2020.08.04#实质审查的生效;2020.07.10#公开

摘要：本发明提供一种FDSOI器件的形成方法，提供包括HV区域的SOI晶圆，该HV区域包括硅基底、位于硅基底上的埋氧层；位于埋氧层上的单晶硅层；去除HV区域上的单晶硅层；在硅基底中进行离子注入形成阱；在HV区域上定义栅氧化层的宽度，同时定义源、漏区；去除源、漏区表面的所述埋氧层，并在源、漏区表面外延生长硅至栅氧化层的高度；在栅氧化层下方的阱中形成STI区域；在源、漏区掺杂形成漂移区；在栅氧化层上形成栅极结构。本发明利用FDSOI的氧化硅层，制作出可以承受中压和高压的区域，此区域可以用来做器件ESD保护，防止器件失效，同时此区域也可以用来作为中压或者高压工作区域，提高电路的承压能力。

主权项：1.一种FDSOI器件的形成方法，其特征在于，该方法至少包括以下步骤：步骤一、提供SOI晶圆，所述SOI晶圆包括HV区域，该HV区域包括硅基底、位于所述硅基底上的埋氧层；位于所述埋氧层上的单晶硅层；步骤二、去除所述HV区域上的所述单晶硅层；步骤三、在所述硅基底中进行离子注入形成阱；步骤四、在所述HV区域上定义栅氧化层的宽度，同时定义源、漏区；步骤五、去除所述源、漏区表面的所述埋氧层，留下的所述埋氧层作为所述栅氧化层；并在所述源、漏区表面外延生长硅至所述栅氧化层的高度；步骤六、在栅氧化层下方的所述阱中形成STI区域；步骤七、在所述源、漏区掺杂形成漂移区；步骤八、在所述栅氧化层上形成栅极结构。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 上海华力集成电路制造有限公司 一种FDSOI器件的形成方法

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