申请/专利权人：强一半导体(上海)有限公司

申请日：2023-10-07

公开（公告）日：2023-12-15

公开（公告）号：CN117234047A

主分类号：G03F9/00

分类号：G03F9/00;H05K3/00;H05K3/06

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2024.01.02#实质审查的生效;2023.12.15#公开

摘要：本发明属于探针卡、晶圆测试技术领域，具体涉及一种LDI曝光机Mark对位的方法及应用。所述对位方法是通过构建第一描画层和Mark直接在陶瓷基板的表面形成Mark，在此基础上构成新的坐标系，实现PAD与Mark的准确对位。本发明提供的技术方案使得因陶瓷基板烧制后形状不规则，位置度较差的PAD能够准确定位，从而解决了采用LDI曝光制作转接板时无法对位的问题，进而实现了采用LDI曝光机在陶瓷基板上进行布线的工艺，使得转接板的生产具有更快的时效性，更高的稳定性，以及简易性。

主权项：1.一种LDI曝光机Mark对位的方法，其特征在于，包括如下步骤：Step1用软件制作陶瓷基板的第一描画层，所述第一描画层的图案由4个直径1.8-2.2mm的圆组成；Step2制作与第一描画层图案一致的mark层，将第一描画层结合mark输出第一ODB数据并导入LDI曝光机；Step3在陶瓷基板的表面制作种子层；Step4在种子层表面旋涂光刻胶，LDI曝光机依据第一ODB数据对陶瓷基板进行强制曝光和显影；Step5在显影后表面采用电镀的方式对显影图案进行金属填充；Step6去除光刻胶并腐蚀掉种子层，陶瓷基板表面的PAD裸露出来；Step7以陶瓷基板上4个圆的图案为标准建立坐标系，通过影像测量PAD在所述坐标系下的位置度数据；Step8根据PAD测量的位置度，使用软件对设计的第一层布设线路图进行平移，制作第二描画层，结合所述mark层输出第二ODB数据，导入LDI曝光机；Step9在陶瓷基板的表面制作种子层；Step10在种子层表面旋涂光刻胶，LDI曝光机依据第二ODB数据对陶瓷基板进行强制曝光和显影；Step11在显影后表面采用电镀的方式对显影图案进行金属填充；Step12去除光刻胶并腐蚀掉种子层，完成第一层布设线路图的设置。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 强一半导体(上海)有限公司 一种LDI曝光机Mark对位的方法及应用

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