申请/专利权人：国立大学法人东京农工大学;日新电机株式会社

申请日：2023-03-16

公开（公告）日：2024-02-02

公开（公告）号：CN117501453A

主分类号：H01L29/786

分类号：H01L29/786;H01L21/425;H01L21/336;H01L21/265

优先权：["20220531 JP 2022-089081"]

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2024.03.26#实质审查的生效;2024.02.02#公开

摘要：一种固定电荷显现方法，为在具有包含氧化物半导体的沟道层的半导体元件中的背沟道侧的绝缘膜中显现出固定电荷的方法，所述方法中，在形成有所述绝缘膜后，在所述绝缘膜的表面形成金属膜，经由所述金属膜对所述绝缘膜进行离子注入，由此在所述绝缘膜中显现出固定电荷。

主权项：1.一种固定电荷显现方法，为在具有包含氧化物半导体的沟道层的半导体元件中的背沟道侧的绝缘膜内显现出固定电荷的方法，所述方法中，于在基板上形成有所述绝缘膜后，在所述绝缘膜的表面形成金属膜，经由所述金属膜对所述绝缘膜进行离子注入，由此在所述绝缘膜中显现出固定电荷。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 国立大学法人东京农工大学;日新电机株式会社 固定电荷显现方法、薄膜晶体管的制造方法及薄膜晶体管

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