申请/专利权人：星科金朋私人有限公司

申请日：2023-06-19

公开（公告）日：2024-02-23

公开（公告）号：CN117594551A

主分类号：H01L23/485

分类号：H01L23/485;H01L21/60;H01L23/488;H01L21/768

优先权：["20220815 US 17/819738"]

专利状态码：在审-公开

法律状态：2024.02.23#公开

摘要：公开了半导体器件和在WLP中形成虚设过孔的方法。一种半导体器件，具有：半导体基板；和第一绝缘层，其形成在所述半导体基板的表面上方。通过所述第一绝缘层形成虚设过孔。在所述第一绝缘层上方形成第二绝缘层以填充所述虚设过孔。在所述第二绝缘层上方形成第一导电层。在与填充有所述第二绝缘层的所述虚设过孔相邻的所述第一导电层上方形成凸块。在所述半导体基板的表面上方形成第二导电层。填充有所述第二绝缘层的所述虚设过孔减轻所述第二导电层上的应力。填充有所述第二绝缘层的多个虚设过孔可以形成在所指定的过孔形成区域内。可以在图案中形成填充有所述第二绝缘层的多个虚设过孔。

主权项：1.一种半导体器件，包括：半导体基板；第一绝缘层，其形成在所述半导体基板的表面上方；虚设过孔，其形成为通过所述第一绝缘层；第二绝缘层，其形成在所述第一绝缘层上方以填充所述虚设过孔；和第一导电层，其形成在所述第二绝缘层上方。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 星科金朋私人有限公司 半导体器件和在WLP中形成虚设过孔的方法

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