申请/专利权人：南亚科技股份有限公司

申请日：2023-04-25

公开（公告）日：2024-03-19

公开（公告）号：CN117727645A

主分类号：H01L21/60

分类号：H01L21/60;H01L23/485;H01L23/488

优先权：["20220915 US 17/945,410"]

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2024.04.05#实质审查的生效;2024.03.19#公开

摘要：一种半导体结构的制备方法，包括：形成第一晶圆，包括：提供第一基底、第一介电层及第一键合层；移除第一键合层的部分以形成延伸穿过第一键合层的第一开口及部分延伸穿过第一键合层的第二开口；将第一导电材料设置于第一及第二开口中以分别形成第一通孔及第一虚设导电件；形成第二晶圆，包括：提供第二基底、第二介电层及第二键合层；移除第二键合层的部分以形成延伸穿过第二键合层的第三开口及部分延伸穿过第二键合层的第四开口；将第二导电材料设置于第三及第四开口中以分别形成第二通孔及第二虚设导电件；将第二晶圆键合到第一晶圆，包括将第一键合层键合到第二键合层；将第一通孔键合到第二通孔；将第一虚设导电件键合到第二虚设导电件。

主权项：1.一种半导体结构的制备方法，包括：形成一第一晶圆，包括：提供一第一基底、该第一基底上的一第一介电层，以及该第一介电层上的一第一键合层；移除该第一键合层的部分，以形成延伸穿过该第一键合层的一第一开口及部分延伸穿过该第一键合层的一第二开口；以及将一第一导电材料设置于该第一开口及该第二开口中，以分别形成一第一通孔及一第一虚设导电件；形成一第二晶圆，包括：提供一第二基底、该第二基底上的一第二介电层，以及该第二介电层上的一第二键合层；移除该第二键合层的部分，以形成延伸穿过该第二键合层的一第三开口及部分延伸穿过该第二键合层的一第四开口；以及将一第二导电材料设置于该第三开口及该第四开口中，以分别形成一第二通孔及一第二虚设导电件；以及将该第二晶圆键合到该第一晶圆，包括：将该第一键合层键合到该第二键合层；将该第一通孔键合到该第二通孔；以及将该第一虚设导电件键合到该第二虚设导电件，其中该第一通孔到该第二通孔的键合以及该第一虚设导电件到该第二虚设导电件的键合是同时执行。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 南亚科技股份有限公司 具有虚设导电件的半导体结构的制造方法

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