申请/专利权人：华东光电集成器件研究所

申请日：2021-12-07

公开（公告）日：2024-03-01

公开（公告）号：CN114136528B

主分类号：G01L9/06

分类号：G01L9/06;G01L9/00;H01L21/762;H01L21/768;H01L27/12

优先权：

专利状态码：有效-授权

法律状态：2024.03.01#授权;2022.03.22#实质审查的生效;2022.03.04#公开

摘要：本发明涉及一种SOI压力敏感芯片，SOI衬底硅正面设有倒梯形的微腔构成的感压膜片，其特征在于：衬底硅背面制有顶层硅围堰（1），感压膜片区域（4）制有敏感桥阻R1—R4；感压膜片区域对角制有一字型顶层硅互连线（2），其端部的Z字型互联线（5）两端对应的敏感桥阻连接，顶层硅互连线外端部制有焊盘（3）；感压膜片区域制有X字型顶层硅互连线（6），其两个内端与敏感桥阻另一端连接。本发明采用中心对称构造,利用芯片正反向压力感传对称的特征,使得SOI压力敏感芯片线性压阻灵敏度双向对称一致。本发明兼容静态压力和动态压力测量，可覆盖高性能的低中高压力传感器量程规格和适应560℃以下的高宽温度压力测量环境。

主权项：1.一种SOI压力敏感芯片，包括SOI芯片晶圆衬底硅（10），衬底硅正面设有倒梯形的微腔（20），倒梯形的微腔底部区域构成的感压膜片（4），其特征在于：1衬底硅背面制有将衬底硅包围的顶层硅围堰（1），所述感压膜片（4）处于顶层硅围堰中心区域，顶层硅围堰上面制有二氧化硅层（8）；2）衬底硅背面感压膜片区域（4）制有四个横向平行的条形敏感桥阻R1—R4，敏感桥阻均呈现为以感压膜片区域中心对称设置，每个敏感桥阻上面制有二氧化硅层（8）；3）衬底硅背面位于感压膜片区域中，沿着感压膜片区域（4）两个斜对称角分别制有一个一字型顶层硅互连线（2），一字型顶层硅互连线与敏感桥阻间的夹角为45度，一字型顶层硅互连线位于感压膜片区内的端部制有延伸的Z字型互联线（5），Z字型互联线的两端分别与相邻的对应的敏感桥阻的一端连接，一字型顶层硅互连线及其Z字型互联线上面制有二氧化硅层，一字型顶层硅互连线位于感压膜片区外的端部制有焊盘（3），焊盘穿过二氧化硅层与一字型顶层硅互连线相连；4）在两个一字型顶层硅互连线两侧对称的感压膜片区域内，分别制有一个对称的X字型顶层硅互连线（6），X字型顶层硅互连线的两个内端分别与两个间隔的对应的敏感桥阻另一端连接，X字型顶层硅互连线的两个外端分别通过延伸的过渡引线（7）在感压膜片区域外汇聚成连接端，X字型顶层硅互连线及其过渡引线上面制有二氧化硅层（8），连接端制有焊盘（3），焊盘穿过二氧化硅层与过渡引线连接端相连。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 华东光电集成器件研究所 一种SOI压力敏感芯片

免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。

阅读全文 双屏查看 官方信息 专利公告 收藏专利 下载PDF 下载WORD